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安徽晶隆年產(chǎn)630萬片含SiC外延材料項目封頂

總投資55億，晶隆半導(dǎo)體外延材料產(chǎn)業(yè)園EPC項目封頂

CASICON晶體大會前瞻|山東華光：高功率半導(dǎo)體激光器核心外延材料及芯片研究進(jìn)展

北京大學(xué)申請大尺寸高熱導(dǎo)率III族氮化物外延材料的制備方法專利，提高整個異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率

第三代半導(dǎo)體外延材料的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用之路

IFWS 2023前瞻│碳化硅襯底、外延材料生長與加工分會日程出爐

中電科南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地投產(chǎn)運(yùn)行，一期投資19.3億元

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學(xué)教授寧靜：寬禁帶氮化物外延材料及集成器件

盛鑫半導(dǎo)體：大尺寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)化項目實(shí)現(xiàn)首批設(shè)備入場

電科材料新外延材料產(chǎn)業(yè)基地首批硅外延和碳化硅外延下線

賽微電子已具備6-8英寸GaN外延材料生長能力正在推動山東GaN產(chǎn)線建設(shè)

中科匯珠完成1.5億元新一輪融資，聚焦SiC外延材料研發(fā)

南京盛鑫大尺寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)化項目開工，一期投資13.6億元

氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體完成數(shù)億元戰(zhàn)略融資，由歌爾股份領(lǐng)投

晶湛半導(dǎo)體總部大樓正式奠基，標(biāo)志著氮化鎵外延材料產(chǎn)業(yè)化基地正式啟航

西電郝躍院士團(tuán)隊成功突破柔性高性能GaN半導(dǎo)體外延材料與器件制備技術(shù)

鳳凰光學(xué)重組方案出爐轉(zhuǎn)戰(zhàn)半導(dǎo)體外延材料領(lǐng)域

賽微電子：GaN外延材料一期產(chǎn)能為1萬片/年，已簽訂千萬級合同

解析碳化硅外延材料產(chǎn)業(yè)鏈

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