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廈門大學(xué)張洪良和上海光機所齊紅基團隊在深紫外透明導(dǎo)電Si摻雜氧化鎵異質(zhì)外延薄膜研究取得進展

泰高技術(shù)與鎵宏半導(dǎo)體一同致力于氮化鎵外延片領(lǐng)域的全面戰(zhàn)略推進

蔚來增持晶湛半導(dǎo)體，或加碼氮化鎵外延技術(shù)應(yīng)用上車

王新強、李新征及合作者確定石墨烯上氮化物半導(dǎo)體單晶材料外延范式

納芯微：逆勢外延并購加碼汽車、泛能源類芯片戰(zhàn)略布局

上海合晶IPO通過科創(chuàng)板上市委會議為半導(dǎo)體硅外延片一體化制造商

廈門大學(xué)教授張洪良：氧化鎵薄膜外延與電子結(jié)構(gòu)研究

中鎵半導(dǎo)體劉強：面向氮化鎵同質(zhì)外延功率/光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進展

晶盛機電：公司成功研發(fā)出具有國際先進水平的 8 英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學(xué)教授寧靜：寬禁帶氮化物外延材料及集成器件

瀚天天成宣布開始量產(chǎn) 8 英寸SiC外延晶片，已簽訂1.92億美元長單

中國電科48所發(fā)布最新研制的8英寸碳化硅外延設(shè)備

北大許福軍、沈波團隊在氮化物半導(dǎo)體大失配外延研究上取得突破性進展

中科院半導(dǎo)體所在硅基外延量子點激光器研究取得進展

半導(dǎo)體所在硅基外延量子點激光器研究方面取得重要進展

北京大學(xué)許福軍、沈波團隊實現(xiàn)了接近體塊級質(zhì)量的III族氮化物異質(zhì)外延膜

盛鑫半導(dǎo)體：大尺寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)化項目實現(xiàn)首批設(shè)備入場

晶盛機電：碳化硅外延設(shè)備出貨量位居國內(nèi)前列

簡述GaN 外延生長方法及生長模式

中微公司副總經(jīng)理杜志游：深耕外延并舉打造業(yè)內(nèi)國際一流

Transphorm與美國國家安全技術(shù)加速機構(gòu)簽訂協(xié)議用于開發(fā)GaN外延片

晶盛機電：碳化硅外延設(shè)備出貨量已做到國內(nèi)前列

廈門大學(xué)教授張洪良：氧化鎵薄膜外延及電子結(jié)構(gòu)研究

【CASICON 2023】中國電科第十三研究所蘆偉立：電力電子領(lǐng)域?qū)捊麕О雽?dǎo)體外延技術(shù)進展

【CASICON 2023】爍科晶磊半導(dǎo)體陳峰武：分子束外延設(shè)備國產(chǎn)化進展及展望

【CASICON 2023】海乾半導(dǎo)體董事長孔令沂：碳化硅外延核心技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用

半導(dǎo)體所在氮化物材料外延研究中取得新進展

合盛硅業(yè)：目前2萬片寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅襯底及外延片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線項目已通過驗收，實現(xiàn)量產(chǎn)

國內(nèi)首家！廈門大學(xué)實現(xiàn)8英寸碳化硅外延生長

IFWS：碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術(shù)前沿研究

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