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IFWS 2023│氮化物襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)召開

IFWS 2023前瞻│碳化硅襯底、外延材料生長與加工分會(huì)日程出爐

IFWS 2023前瞻│氮化物襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)日程出爐

中電科南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地投產(chǎn)運(yùn)行，一期投資19.3億元

性能位居前列！芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的 850V大功率氮化鎵外延產(chǎn)品

中電化合物8英寸SiC外延片首批產(chǎn)品交付

中電化合物完成客戶首批次8英寸SiC外延片產(chǎn)品交付

廈門大學(xué)張洪良和上海光機(jī)所齊紅基團(tuán)隊(duì)在深紫外透明導(dǎo)電Si摻雜氧化鎵異質(zhì)外延薄膜研究取得進(jìn)展

泰高技術(shù)與鎵宏半導(dǎo)體一同致力于氮化鎵外延片領(lǐng)域的全面戰(zhàn)略推進(jìn)

蔚來增持晶湛半導(dǎo)體，或加碼氮化鎵外延技術(shù)應(yīng)用上車

王新強(qiáng)、李新征及合作者確定石墨烯上氮化物半導(dǎo)體單晶材料外延范式

納芯微：逆勢(shì)外延并購加碼汽車、泛能源類芯片戰(zhàn)略布局

上海合晶IPO通過科創(chuàng)板上市委會(huì)議為半導(dǎo)體硅外延片一體化制造商

廈門大學(xué)教授張洪良：氧化鎵薄膜外延與電子結(jié)構(gòu)研究

中鎵半導(dǎo)體劉強(qiáng)：面向氮化鎵同質(zhì)外延功率/光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展

晶盛機(jī)電：公司成功研發(fā)出具有國際先進(jìn)水平的 8 英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學(xué)教授寧靜：寬禁帶氮化物外延材料及集成器件

瀚天天成宣布開始量產(chǎn) 8 英寸SiC外延晶片，已簽訂1.92億美元長單

中國電科48所發(fā)布最新研制的8英寸碳化硅外延設(shè)備

北大許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)在氮化物半導(dǎo)體大失配外延研究上取得突破性進(jìn)展

中科院半導(dǎo)體所在硅基外延量子點(diǎn)激光器研究取得進(jìn)展

半導(dǎo)體所在硅基外延量子點(diǎn)激光器研究方面取得重要進(jìn)展

北京大學(xué)許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了接近體塊級(jí)質(zhì)量的III族氮化物異質(zhì)外延膜

盛鑫半導(dǎo)體：大尺寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)首批設(shè)備入場(chǎng)

晶盛機(jī)電：碳化硅外延設(shè)備出貨量位居國內(nèi)前列

簡(jiǎn)述GaN 外延生長方法及生長模式

中微公司副總經(jīng)理杜志游：深耕外延并舉打造業(yè)內(nèi)國際一流

Transphorm與美國國家安全技術(shù)加速機(jī)構(gòu)簽訂協(xié)議用于開發(fā)GaN外延片

晶盛機(jī)電：碳化硅外延設(shè)備出貨量已做到國內(nèi)前列

廈門大學(xué)教授張洪良：氧化鎵薄膜外延及電子結(jié)構(gòu)研究

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