亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<input id="qmuqf"></input>

<u id="qmuqf"></u>

<noscript id="qmuqf"></noscript>

<u id="qmuqf"></u>

<u id="qmuqf"><li id="qmuqf"><table id="qmuqf"></table></li></u>

<u id="qmuqf"></u>

<dl id="awwya"><nav id="awwya"></nav></dl>

<code id="awwya"></code>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

百識(shí)電子完成A+輪融資，加速耐高壓、大尺寸第三代半導(dǎo)體外延布局

晶盛機(jī)電：6英寸碳化硅外延設(shè)備實(shí)現(xiàn)批量銷售且訂單量快速增長

北京大學(xué)申請(qǐng)大尺寸高熱導(dǎo)率III族氮化物外延材料的制備方法專利，提高整個(gè)異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率

北方華創(chuàng)：碳化硅外延設(shè)備已實(shí)現(xiàn)批量銷售

南京盛鑫集成電路外延產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目一期全面建成

深圳第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園揭牌重點(diǎn)布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線

投資近20億元，兩碳化硅外延項(xiàng)目環(huán)評(píng)公示

上海合晶：將積極探索及開發(fā)CIS等模擬器件使用12英寸外延片產(chǎn)品

賽達(dá)半導(dǎo)體年產(chǎn)30萬片碳化硅外延項(xiàng)目環(huán)評(píng)公示

普興電子：年產(chǎn)24萬片SiC外延項(xiàng)目環(huán)評(píng)公示

第三代半導(dǎo)體外延材料的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用之路

晶旭半導(dǎo)體獲戰(zhàn)略投資協(xié)議，計(jì)劃實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)75萬片ε相氧化鎵外延片（壓電領(lǐng)域用）

瀚天天成上交所科創(chuàng)板IPO已問詢為全球領(lǐng)先的寬禁帶半導(dǎo)體外延晶片供應(yīng)商

上海合晶募資超15億元投資優(yōu)質(zhì)外延片研發(fā)項(xiàng)目

半導(dǎo)體硅外延片一體化制造商上海合晶啟動(dòng)科創(chuàng)板IPO

廈門市翔安區(qū)-6-8英寸SiC外延晶片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目可行性研究報(bào)告

中國電科第四十八研究所40臺(tái)SiC外延設(shè)備成功Move in

香港中文大學(xué)（深圳）冀東：GaN同質(zhì)外延中的雪崩特性

國產(chǎn)碳化硅外延設(shè)備供應(yīng)商納設(shè)智能開啟上市輔導(dǎo)

第四代半導(dǎo)體迎來新進(jìn)展相關(guān)A股公司搶抓“新風(fēng)口”

石墨烯芯片制造領(lǐng)域，重要里程碑→

新進(jìn)展！西安交通大學(xué)實(shí)現(xiàn)2英寸單晶金剛石異質(zhì)外延自支撐襯底量產(chǎn)

4H-SiC 中基面位錯(cuò)滑移帶表征和外延傳播

中山大學(xué)物理學(xué)院氫化物氣相外延沉積系統(tǒng)采購項(xiàng)目公開招標(biāo)公告

重大突破！第三代半導(dǎo)體在寧加速布局

南京大學(xué)莊喆：基于外延層殘余應(yīng)變調(diào)控的InGaN基紅光LED器件

IFWS 2023│200 mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長

電科材料下屬國盛公司第一枚碳化硅外延片正式下線

IFWS 2023│中國科學(xué)院半導(dǎo)體所閆果果：6英寸碳化硅外延生長及深能級(jí)缺陷研究

IFWS 2023│清軟微視周繼樂：化合物半導(dǎo)體襯底和外延缺陷無損檢測(cè)技術(shù)

第3頁/共8頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部