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上海天岳申請一種三維方向應力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體專利，提高SiC襯底質(zhì)量

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長加熱爐專利，解決氮化鎵采取和附著問題，提高產(chǎn)量

浙之芯申請一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

蘇州立琻半導體申請p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

杭州芯邁半導體技術(shù)申請一種功率開關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請 N 面增強型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

揚杰電子申請提高反向續(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

華虹半導體申請集成半導體器件及其制備方法專利，提高芯片整體抗EMI能力

湖南三安半導體申請功率器件專利，可提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力

昕感科技申請一種終端復合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯率

廣東巨風半導體取得IGBT模塊專利，提高模塊性能

廣州南砂晶圓半導體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長裝置專利，提高晶體生長速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

飛锃半導體申請半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高器件性能和可靠性

長鑫存儲申請半導體結(jié)構(gòu)及制備方法專利，提高集成電路的存儲密度

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效

合肥晶合集成電路申請一種半導體器件的制作方法專利，能夠提高半導體器件的性能

上海壁仞科技取得封裝結(jié)構(gòu)專利，提高散熱性能

晶合集成申請一種半導體結(jié)構(gòu)的制作方法及動態(tài)調(diào)整系統(tǒng)專利，提高半導體結(jié)構(gòu)的良率

芯導科技申請一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

揚杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

Wolfspeed推出創(chuàng)新碳化硅模塊以提高清潔能源產(chǎn)能

江蘇能華微取得 GaN 肖特基二極管相關(guān)專利，有效提高了 GaN 肖特基二極管的性能

蘇州晶湛半導體取得半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導體外延層的性能

福建泓光半導體材料取得一種光刻膠自動過濾裝置專利，提高工作效率

豪緯集團申請一種基于微納陣列結(jié)構(gòu) GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結(jié)構(gòu)中有源層的發(fā)光效率

極紫外光刻新技術(shù)問世能大幅提高能源效率并降低半導體制造成本

全新 EVG?880 LayerRelease? 離型層系統(tǒng)將半導體層轉(zhuǎn)移技術(shù)產(chǎn)量提高一倍

長光華芯申請高功率半導體激光芯片性能評估及結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法專利，有效提高評估結(jié)果準確度

晶合集成申請半導體專利，能提高半導體器件的穩(wěn)定性和平衡性

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