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廣電計(jì)量申請(qǐng)SiCMOSFET體二極管雙極退化試驗(yàn)方法及裝置專利，提高了老化效率，加速了雙極退化

芯聯(lián)集成：全球領(lǐng)先的新一代IGBT器件會(huì)在24年下半年量產(chǎn)，大幅提高單位晶圓片的芯片產(chǎn)出數(shù)量

北京大學(xué)申請(qǐng)長(zhǎng)波長(zhǎng)InGaN基發(fā)光二極管專利，有利于提高發(fā)光多量子阱中的銦并入

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)申請(qǐng)晶圓級(jí)封裝方法專利，提高晶圓封裝的良率

比亞迪半導(dǎo)體申請(qǐng)終端結(jié)構(gòu)及其制造方法以及功率器件專利，能夠提高耐壓值

北京大學(xué)申請(qǐng)大尺寸高熱導(dǎo)率III族氮化物外延材料的制備方法專利，提高整個(gè)異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率

比亞迪半導(dǎo)體申請(qǐng)逆導(dǎo)型IGBT功率器件專利，有效抑制負(fù)阻效應(yīng)，提高器件性能

晶合集成取得半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，改善電阻Rc并提高良率

美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)：2030年美國(guó)芯片在全球市場(chǎng)份額提高到20%

天岳先進(jìn)：持續(xù)進(jìn)行碳化硅單晶基礎(chǔ)研究以提高晶體生長(zhǎng)效率和質(zhì)量

華為公司申請(qǐng)功率器件專利，提高半導(dǎo)體器件的可靠性

北京大學(xué)申請(qǐng)高動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性GaN器件專利，提高GaN HEMT的動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

工信部：將加快國(guó)家高新區(qū)科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新對(duì)接，提高科技成果轉(zhuǎn)化和產(chǎn)業(yè)化水平

我國(guó)提高集成電路和工業(yè)母機(jī)企業(yè)研發(fā)費(fèi)用加計(jì)扣除比例

外媒：日本將加強(qiáng)電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施，到 2030 年高速充電樁功率提高至 90 kW

日本將向晶圓廠 Sumco 提供 750 億日元資金以提高產(chǎn)能

全球化已死，芯片成本提高？張忠謀5句話看半導(dǎo)體未來(lái)

安森美擬投資20億美元，提高碳化硅（SiC）芯片的產(chǎn)量

德國(guó)擬提高補(bǔ)貼以推動(dòng)英特爾擴(kuò)大170億歐元芯片廠投資

可再生能源發(fā)電比例提高日本計(jì)劃到2030年普及柔性太陽(yáng)能電池板

全國(guó)人大代表、廣汽集團(tuán)馮興亞：提高國(guó)產(chǎn)芯片應(yīng)用率推動(dòng)“卡脖子”及高端芯片的研發(fā)和應(yīng)用

簡(jiǎn)述通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器提高開(kāi)關(guān)電源功率密度

簡(jiǎn)述提高GaN效率的新?lián)诫s技術(shù)

簡(jiǎn)述使用不同類型GaN FET 設(shè)計(jì)提高系統(tǒng)設(shè)計(jì)功率密度

市場(chǎng)趨勢(shì)：中國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)的本土化程度持續(xù)提高

Gartner：中國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)的本土化程度持續(xù)提高

車企將安全庫(kù)存提高到3至6個(gè)月，芯片需求持續(xù)走高

Wolfspeed：SiC 功率模塊最大限度提高有源前端效率

三星宣布3納米芯片正式開(kāi)始量產(chǎn) 采用新 GAA晶體管架構(gòu) 提高30%性能

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