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長鑫存儲申請半導體結構及制備方法專利，提高集成電路的存儲密度

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術極限并提高能效

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術極限并提高能效

合肥晶合集成電路申請一種半導體器件的制作方法專利，能夠提高半導體器件的性能

上海壁仞科技取得封裝結構專利，提高散熱性能

晶合集成申請一種半導體結構的制作方法及動態(tài)調(diào)整系統(tǒng)專利，提高半導體結構的良率

芯導科技申請一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結構及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

揚杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

Wolfspeed推出創(chuàng)新碳化硅模塊以提高清潔能源產(chǎn)能

江蘇能華微取得 GaN 肖特基二極管相關專利，有效提高了 GaN 肖特基二極管的性能

蘇州晶湛半導體取得半導體結構及其形成方法專利，提高半導體外延層的性能

福建泓光半導體材料取得一種光刻膠自動過濾裝置專利，提高工作效率

豪緯集團申請一種基于微納陣列結構 GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結構中有源層的發(fā)光效率

極紫外光刻新技術問世能大幅提高能源效率并降低半導體制造成本

全新 EVG?880 LayerRelease? 離型層系統(tǒng)將半導體層轉移技術產(chǎn)量提高一倍

長光華芯申請高功率半導體激光芯片性能評估及結構優(yōu)化方法專利，有效提高評估結果準確度

晶合集成申請半導體專利，能提高半導體器件的穩(wěn)定性和平衡性

廣電計量申請SiCMOSFET體二極管雙極退化試驗方法及裝置專利，提高了老化效率，加速了雙極退化

芯聯(lián)集成：全球領先的新一代IGBT器件會在24年下半年量產(chǎn)，大幅提高單位晶圓片的芯片產(chǎn)出數(shù)量

北京大學申請長波長InGaN基發(fā)光二極管專利，有利于提高發(fā)光多量子阱中的銦并入

長鑫存儲申請晶圓級封裝方法專利，提高晶圓封裝的良率

比亞迪半導體申請終端結構及其制造方法以及功率器件專利，能夠提高耐壓值

北京大學申請大尺寸高熱導率III族氮化物外延材料的制備方法專利，提高整個異質(zhì)集成結構的熱導率

比亞迪半導體申請逆導型IGBT功率器件專利，有效抑制負阻效應，提高器件性能

晶合集成取得半導體器件及其制備方法專利，改善電阻Rc并提高良率

美國商務部長：2030年美國芯片在全球市場份額提高到20%

天岳先進：持續(xù)進行碳化硅單晶基礎研究以提高晶體生長效率和質(zhì)量

華為公司申請功率器件專利，提高半導體器件的可靠性

北京大學申請高動態(tài)穩(wěn)定性GaN器件專利，提高GaN HEMT的動態(tài)穩(wěn)定性

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

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