亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<input id="qmuqf"></input>

<u id="qmuqf"></u>

<noscript id="qmuqf"></noscript>

<u id="qmuqf"></u>

<u id="qmuqf"><li id="qmuqf"><table id="qmuqf"></table></li></u>

<u id="qmuqf"></u>

<abbr id="c8uc4"></abbr>

<input id="c8uc4"><cite id="c8uc4"></cite></input>

<center id="c8uc4"></center><button id="c8uc4"><optgroup id="c8uc4"></optgroup></button>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

同濟大學(xué)第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料項目落地江蘇省無錫市高新區(qū)

【國際論文】具有集成鰭型二極管的低反向?qū)〒p耗氧化鎵縱向FinFET

具有集成鰭型二極管的低反向?qū)〒p耗氧化鎵縱向FinFET

廈門大學(xué)張洪良團隊在寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體摻雜電子結(jié)構(gòu)研究取得進展

廈門大學(xué)教授張洪良：氧化鎵薄膜外延及電子結(jié)構(gòu)研究

南京郵電大學(xué)氧化鎵創(chuàng)新中心(IC-GAO)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破

CASICON 2023長沙站：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)進展探討

山東大學(xué)陶緒堂教授團隊提出一種新型氧化物X射線探測材料的設(shè)計思路

鎵仁半導(dǎo)體完成數(shù)千萬天使輪融資，加速氧化鎵中試線研發(fā)等

廈大研究團隊在高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測器研究取得進展

聞泰科技：已布局第三代化合物半導(dǎo)體暫無氧化鎵相關(guān)產(chǎn)品

聞泰科技：已布局第三代化合物半導(dǎo)體，暫無氧化鎵相關(guān)產(chǎn)品

國內(nèi)首批！銘鎵半導(dǎo)體實現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

敏源傳感的氮氧化物調(diào)理芯片MY9706通過車規(guī)級HTOL認證

國內(nèi)第一！中國電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶

中國首顆6英寸氧化鎵單晶成功制備，第四代半導(dǎo)體呼嘯而來

招聘：中科院寧波材料所氧化物半導(dǎo)體方向誠聘副研究員和博士后

中國科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管

北京大學(xué)在氧化物半導(dǎo)體器件方向取得系列重要進展

簡述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

中國科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進展

國產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)獲突破！

新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料廠商銘鎵半導(dǎo)體實現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體在壓電與射頻器件中的應(yīng)用

4英寸氧化鎵單晶生長與性能分析

基于原子層沉積技術(shù)的具有常溫相變能力的鎢摻雜二氧化釩兼容于8寸晶圓及PI薄膜

山東大學(xué)成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

一文讀懂氧化鎵半導(dǎo)體

郝躍院士團隊研制出國際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實現(xiàn)空穴超注入效應(yīng)

日企將大規(guī)模量產(chǎn)氧化鎵器件

第3頁/共5頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<button id="s0uuo"><fieldset id="s0uuo"></fieldset></button>

<cite id="s0uuo"><samp id="s0uuo"></samp></cite>