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新突破︱鎵仁半導體晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底直徑突破3英寸

CASICON晶體大會前瞻|金奎娟院士：光與低維氧化物相互作用研究

西安交大劉明教授團隊在柔性自支撐反鐵電氧化物單晶薄膜研究方面取得新進展

銘鎵半導體在氧化鎵材料開發(fā)及應用產(chǎn)業(yè)化方面實現(xiàn)新突破

廈門大學團隊在第四代半導體氧化鎵材料外延和深紫外探測應用領(lǐng)域研究取得重要進展

CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學周賢達：非晶氧化物半導體功率器件：理論極限和初步實現(xiàn)

6英寸氧化鎵單晶實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化

晶旭半導體獲戰(zhàn)略投資協(xié)議，計劃實現(xiàn)年產(chǎn)75萬片ε相氧化鎵外延片（壓電領(lǐng)域用）

第四代半導體迎來新進展相關(guān)A股公司搶抓“新風口”

山東大學徐明升：SiC的高溫氧化研究

武漢大學袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運領(lǐng)域最新研究進展

IFWS 2023│臺灣成功大學李清庭：GaN基單片電子器件的集成互補金屬氧化物半導體D模和E模高電子遷移率晶體管

IFWS 2023│廈門大學徐翔宇：氧化鎵缺陷研究，合金工程電子結(jié)構(gòu)調(diào)制以及日盲光電探測器的開發(fā)

SSLCHINA2023│河北工業(yè)大學徐庶：量子點氧化物復合材料的制備及LED應用

寧波材料所研發(fā)氧化鎵基日盲紫外光電探測器的低溫制備技術(shù)

國際上首次！基于晶圓級高導熱異質(zhì)集成襯底實現(xiàn)已報道的最高截止頻率氧化鎵射頻器件

一顆碳化硅芯片，可節(jié)省一噸二氧化碳當量！

鎵和半導體展示多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首次公開發(fā)布4英寸（100）面單晶襯底參數(shù)

日本研發(fā)出氧化鎵低成本制法

廈門大學張洪良和上海光機所齊紅基團隊在深紫外透明導電Si摻雜氧化鎵異質(zhì)外延薄膜研究取得進展

西安電子科技大學郝躍院士團隊：氧化鎵功率器件研究成果

新突破！4英寸鑄造法氧化鎵單晶研制獲得成功

廈門大學教授張洪良：氧化鎵薄膜外延與電子結(jié)構(gòu)研究

南京郵電大學張茂林：氧化鎵材料生長與陣列探測器研究

廈門大學徐翔宇：氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測器研究

西安電子科技大學王逸飛：基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測器的研究

中國電科46所霍曉青：面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術(shù)

西安電子科技大學孫汝軍：氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

中電科13所敦少博：高耐壓氧化鎵功率器件研制進展與思考

電子科技大學羅小蓉課題組在超寬禁帶半導體氧化鎵功率器件領(lǐng)域取得研究進展

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