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《Nature Electronics》：港科大氮化鎵基互補(bǔ)邏輯集成電路研究取得重大成果

南科大馬俊在新型多溝道氮化鎵電力電子器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

奔涌在時代長河中的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

第三代半導(dǎo)體的激流與險灘

國際首次，中科院院士在玻璃襯底上“異質(zhì)外延”出準(zhǔn)單晶氮化鎵薄膜

兆馳股份：公司氮化鎵芯片產(chǎn)能位于行業(yè)前列，未來不排除根據(jù)市場發(fā)展情況繼續(xù)擴(kuò)產(chǎn)的可能

玻璃襯底上首次“異質(zhì)外延”出準(zhǔn)單晶氮化鎵薄膜

寬禁帶半導(dǎo)體：一場能源轉(zhuǎn)換鏈中的革命

華為入局氮化鎵快充市場，2021或迎GaN快充爆發(fā)期？

日本研發(fā)新型具有高溫度穩(wěn)定性的氮化鎵MEMS諧振器

利亞德：公司參股的Saphlux屬于第三代半導(dǎo)體

芯片新局面：第三代半導(dǎo)體迎來新機(jī)遇

半導(dǎo)體新格局|缺芯全球蔓延, 國產(chǎn)替代迎機(jī)遇

氮化鎵（GaN）射頻器件市場：2026年預(yù)計達(dá)到24億美元以上

全球首條產(chǎn)線！英諾賽科蘇州8英寸硅基氮化鎵芯片產(chǎn)線正式大規(guī)模投產(chǎn)

到2027年，氮化鎵和碳化硅功率半導(dǎo)體市場預(yù)計將超過45億美元

石家莊六大重點工程出爐，將加快6英寸碳化硅外延、氮化鎵外延、12英寸硅外延量產(chǎn)化進(jìn)程

氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈深度解析

金溢科技擬以 9,000 萬元投資額增資入股深圳鎵華共同開拓氮化鎵在車聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用

氮化鎵（GaN）的工藝歷程

氮化鎵功率芯片市場年增長率70%，2026年將達(dá)到11億美元

納微半導(dǎo)體據(jù)悉已與Live Oak的特殊目的收購公司(SPAC)達(dá)成合并上市協(xié)議

華燦光電一季度Mini LED產(chǎn)品銷售暴漲，氮化鎵電力電子器件預(yù)計二季度客戶送樣

南京集芯光電雷建明：氮化鎵功率開關(guān)器件及其在超輕薄開關(guān)電源領(lǐng)域的應(yīng)用研究

三安光電發(fā)布2020年報、1Q21季報，透露了諸多新進(jìn)展！

120億元湖北三安光電項目一期正式投產(chǎn) 全部達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)氮化鎵芯片161萬片

第三代半導(dǎo)體“超級風(fēng)口”已至不能錯過新一列半導(dǎo)體列車

33W GaN快充“殺”出江湖國內(nèi)氮化鎵IDM企業(yè)加速布局

禹創(chuàng)半導(dǎo)體獲數(shù)千萬元A+輪融資 Micro-LED、氮化鎵領(lǐng)域皆已布局

賽微電子擬投資10億元于青州建6-8英寸氮化鎵功率器件項目

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