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北京航天賽德申請(qǐng)氮化鎵襯底拋光液專利，極大提升氮化鎵襯底表面特性

張道華院士：超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究

中國(guó)科大微電子學(xué)院在GaN功率電子器件浪涌特性研究方向取得新進(jìn)展

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)李俊宏：基于傅里葉乘法特性的高可靠性無(wú)半橋直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路研究

香港中文大學(xué)（深圳）冀東：GaN同質(zhì)外延中的雪崩特性

IFWS 2023│中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十五研究所黃潤(rùn)華：750V SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)對(duì)器件特性的影響研究

論文推介丨山東大學(xué) · Ni摻雜β-Ga2O3單晶的光、電特性研究

CASICON西安前瞻| 陜西師范大學(xué)李曉輝：低維材料的非線性光學(xué)特性及超快光纖激光技術(shù)研究

CASICON西安站前瞻|西安交通大學(xué)陳冉升:六方氮化硼薄膜生長(zhǎng)及hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)構(gòu)電學(xué)特性的研究

西安交大科研人員在垂直結(jié)構(gòu)hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)電學(xué)特性研究方面取得重要進(jìn)展

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化研究院蔡建奇：基于眼生理參數(shù)時(shí)間周期特性的視覺(jué)舒適度研究

SiC MOSFET特性分析及應(yīng)用

西安電子科技大學(xué)功率器件特性分析儀采購(gòu)(XDH22055D)公開(kāi)招標(biāo)公告

SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性及1 200V 產(chǎn)品參數(shù)分散性對(duì)并聯(lián)均流的影響

中科院長(zhǎng)春光機(jī)所梁靜秋團(tuán)隊(duì)在紅光Micro-LED光電特性研究獲進(jìn)展

華中科技大學(xué)半導(dǎo)體器件特性分析儀采購(gòu)項(xiàng)目中標(biāo)結(jié)果公告

清華大學(xué)10兆瓦高溫氣冷堆超高溫特性實(shí)驗(yàn)氣體采樣和分析系統(tǒng)成套設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)性磋商

北理工在鈣鈦礦晶體的消色差1/4波片特性研究方面取得突破進(jìn)展

【CASICON 2021】西安交通大學(xué)李強(qiáng)：大面積hBN薄膜制備及電阻開(kāi)關(guān)特性研究

【CASICON 2021】南京郵電大學(xué)張珺：基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技術(shù)

極具潛力的半導(dǎo)體材料，硫化鉑光電特性研究獲新突破

云大半導(dǎo)體材料硫化鉑光電特性研究獲新突破，助力大面積電子器件發(fā)展

集成電路為高可靠性電源提供增強(qiáng)的保護(hù)和改進(jìn)的安全特性

中山大學(xué)黎城朗：凹槽深度對(duì)GaN槽柵型縱向?qū)ňw管電學(xué)特性的影響研究

TUV南德為霍尼韋爾頒發(fā)ISO 50001能源管理體系證書

Xilinx 助力斯巴魯實(shí)現(xiàn)新一代 EyeSight 系統(tǒng)

AMD EPYC處理器的領(lǐng)先安全特性賦能全新谷歌云機(jī)密計(jì)算系列

具有優(yōu)化功率搜索和多種安全特性的完整高效的100 mA無(wú)線充電解決方案

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