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揚(yáng)杰電子申請(qǐng)新型多級(jí)溝道SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)與制造方法專(zhuān)利，方法制作工藝簡(jiǎn)單

英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V，直流母線電壓最高可達(dá)1500 VDC，效率更高，設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單

富特科技：已實(shí)現(xiàn)SiC半導(dǎo)體器件在產(chǎn)品中的量產(chǎn)應(yīng)用，且應(yīng)用技術(shù)已相對(duì)成熟

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所SiC晶圓平坦化設(shè)備采購(gòu)項(xiàng)目競(jìng)爭(zhēng)性磋商

爍科晶體SiC二期項(xiàng)目通過(guò)竣工驗(yàn)收，正式投產(chǎn)！

新潔能：SiC/GaN項(xiàng)目年底竣工投產(chǎn)

鉅芯半導(dǎo)體新建SiC生產(chǎn)線

方正微電子8吋SiC線年底通線

方正微電子：2025年將具備16.8萬(wàn)片/年車(chē)規(guī)SiC MOS生產(chǎn)能力

SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

泰國(guó)將投資3.5億美元建設(shè)首個(gè)SiC工廠，預(yù)計(jì)2027年運(yùn)營(yíng)

利用SiC模塊進(jìn)行電動(dòng)壓縮機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

20億！科友半導(dǎo)體SiC項(xiàng)目簽約杭州

ST官宣！推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)

長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地SiC項(xiàng)目

芯聯(lián)集成：2023年及2024年上半年，公司SiC MOSFET產(chǎn)品出貨量均位居國(guó)內(nèi)第一

漢磊&世界先進(jìn)攜手共建8吋SiC產(chǎn)線

羅姆與聯(lián)合汽車(chē)電子簽署SiC功率元器件長(zhǎng)期供貨協(xié)議

捷報(bào)！合盛8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底項(xiàng)目全線貫通

上半年SiC汽車(chē)中國(guó)銷(xiāo)售近110萬(wàn)輛，多家SiC概念股受益業(yè)績(jī)大增

河北同光半導(dǎo)體取得SiC專(zhuān)利，實(shí)現(xiàn)將源于生長(zhǎng)區(qū)石墨件腐蝕引起的包裹物分布控制在晶體邊緣

三安半導(dǎo)體與虹安微電子戰(zhàn)略合作，加強(qiáng)SiC領(lǐng)域合作

芯聯(lián)集成：公司SiC以及功率模組的增長(zhǎng)主要受益于頭部客戶(hù)需求增加及國(guó)產(chǎn)替代的需求

羅姆第4代SiC MOSFET大量應(yīng)用于吉利旗下品牌“極氪”3款車(chē)型

德智新材半導(dǎo)體用SiC部件材料研發(fā)制造基地項(xiàng)目落戶(hù)惠山經(jīng)開(kāi)區(qū)

揚(yáng)杰科技：IGBT和SiC產(chǎn)品有序推進(jìn)中

三安光電：上半年?duì)I業(yè)收入76.79億元，SiC營(yíng)收5.12億元

《Applied Physics Letters》發(fā)表西電大馬曉華教授研究組科研成果

半導(dǎo)體用SiC部件材料研發(fā)制造基地項(xiàng)目落戶(hù)惠山經(jīng)開(kāi)區(qū)

總投資約10億元，半導(dǎo)體用SiC部件材料研發(fā)制造基地項(xiàng)目簽約落地

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