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士蘭微“MEMS器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

英特爾俄亥俄州晶圓廠新進(jìn)展

利亞德斬獲廣東省科技進(jìn)步一等獎

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重慶芯聯(lián)微電子申請掩膜版圖形及其優(yōu)化方法專利，解決集成電路版圖工藝缺陷

粵芯半導(dǎo)體申請光刻機(jī)對準(zhǔn)方法專利，平衡晶圓中切割道與芯片的研磨速率

長鑫存儲申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備方法專利，提高集成電路的存儲密度

深圳市聯(lián)微半導(dǎo)體取得定位裝置專利，能夠具有較低的成本

時的科技完成數(shù)億元B輪融資，將在蕪湖建總裝制造工廠

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗(yàn)證

臺積電高雄首座2nm晶圓廠即將完工，2025年量產(chǎn)

電子工藝裝備收入增長，北方華創(chuàng)前三季度營收同比增加39.51%

電裝與羅姆達(dá)成共識，探討在半導(dǎo)體領(lǐng)域建立戰(zhàn)略伙伴關(guān)系

納芯微與大陸集團(tuán)合作，聯(lián)合開發(fā)汽車壓力傳感器芯片

TCL科技前三季度營收1230.28億元歸母凈利潤15.25億元

北方華創(chuàng)“工藝配方的管理控制方法、裝置及半導(dǎo)體設(shè)備”專利公布

智芯微“用于電源監(jiān)測的嵌入式系統(tǒng)、解碼方法和解碼芯片”專利公布

盛美臨港研發(fā)與制造中心首臺量測設(shè)備KLA-Tencor Surfscan SP7入駐

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效

大眾擬關(guān)閉德國至少三家工廠，裁員數(shù)萬人

揚(yáng)杰電子申請新型多級溝道SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)與制造方法專利，方法制作工藝簡單

合肥晶合集成電路申請一種半導(dǎo)體器件的制作方法專利，能夠提高半導(dǎo)體器件的性能

無錫博通申請半橋GaN增強(qiáng)型開關(guān)器件及其制備方法專利，保證器件的高速開關(guān)

投資33億美元豐田與NTT合作開發(fā)AI自動駕駛技術(shù)

山東粵海金半導(dǎo)體取得專用碳化硅襯底Wafer倒角裝置專利，可實(shí)現(xiàn)自由設(shè)計(jì)倒角形狀

漢斯半導(dǎo)體取得一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置專利，拋光效率高

全球功率半導(dǎo)體龍頭聞泰科技：三季報(bào)強(qiáng)勢翻盤，盈利能力持續(xù)提升

榮耀“封裝芯片結(jié)構(gòu)及其加工方法、和電子設(shè)備”專利獲授權(quán)

深科達(dá)：擬收購深科達(dá)半導(dǎo)體少數(shù)股東所持40%的股權(quán)

東芝計(jì)劃到2030年實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的電源芯片市場份額

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