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京東方進(jìn)軍半導(dǎo)體，20億投資12寸晶圓廠項(xiàng)目

基本半導(dǎo)體完成股份改制，正式更名

海外首發(fā)！天岳先進(jìn)300mmN型碳化硅襯底全新亮相

湖南三安半導(dǎo)體申請(qǐng)功率器件專利，可提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力

廣東巨風(fēng)半導(dǎo)體取得IGBT模塊專利，提高模塊性能

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長(zhǎng)裝置專利，提高晶體生長(zhǎng)速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

秋水半導(dǎo)體獲數(shù)千萬(wàn)元天使+輪投資全球首創(chuàng)無(wú)損Micro-LED芯片

北方華創(chuàng)邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

美圖半導(dǎo)體邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

北方華創(chuàng)“工藝氣體噴嘴及半導(dǎo)體工藝腔室”專利公布

燦光光電總部研發(fā)生產(chǎn)基地二期沖刺建成

聯(lián)合微電子中心取得一種半導(dǎo)體器件專利，提升半導(dǎo)體器件性能

國(guó)星光電子公司風(fēng)華芯電成功開(kāi)發(fā)出扇出型D-mode氮化鎵半橋模塊

芯導(dǎo)電子“一種靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)及制備方法、半導(dǎo)體器件及制備方法”專利公布

GaN+SiC！納微全球首發(fā)8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

從安森美幾款硬核功率產(chǎn)品，洞悉最新技術(shù)趨勢(shì)

聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)與KOSTAL就先進(jìn)車規(guī)級(jí)寬禁帶器件達(dá)成戰(zhàn)略合作

晶湛半導(dǎo)體邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

晶盛機(jī)電：8英寸碳化硅外延設(shè)備和光學(xué)量測(cè)設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷售，12英寸三軸減薄拋光機(jī)拓展至國(guó)內(nèi)頭部封裝客戶

聯(lián)華電子申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及其形成方法專利，具有特定的結(jié)構(gòu)和元件排列

天岳先進(jìn)向客戶成功交付高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底

納視智能完成數(shù)百萬(wàn)種子輪融資

晶科電子赴港上市吸引超5000倍超額認(rèn)購(gòu)，為何吸引如此多投資者申購(gòu)呢？

晶盛機(jī)電：實(shí)現(xiàn)8-12英寸半導(dǎo)體大硅片設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化突破

華虹半導(dǎo)體“低壓超結(jié)MOSFET的工藝方法”專利公布

南京南瑞半導(dǎo)體申請(qǐng)溝槽型SiC器件及其制備方法專利，可防止器件過(guò)早擊穿燒毀

安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，使半導(dǎo)體器件獲得更好的散熱結(jié)構(gòu)以及更低的電阻率

中微半導(dǎo)體設(shè)備申請(qǐng)雙腔處理系統(tǒng)及氣體供應(yīng)方法專利

上海漢虹申請(qǐng)一種單晶爐碳化硅爐專用KF40電動(dòng)蝶閥專利

長(zhǎng)光華芯“半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)速率的測(cè)試方法”專利獲授權(quán)

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