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中國(guó)太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗(yàn)證

寧波材料所與鄭州大學(xué)實(shí)現(xiàn)金剛石/氧化鎵異質(zhì)結(jié)器件突破

上海微系統(tǒng)所科研團(tuán)隊(duì)在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

哈爾濱工業(yè)大學(xué)在碳化硅集成光量子糾纏器件領(lǐng)域取得新突破

中欣晶圓12英寸BCD硅片產(chǎn)品取得技術(shù)突破

1萬(wàn)伏！我國(guó)實(shí)現(xiàn)6英寸AlN單晶復(fù)合襯底和晶圓制造全流程突破

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效

至芯半導(dǎo)體取得重大突破，推出高光效UV器件

我國(guó)在太陽(yáng)能電池領(lǐng)域取得新突破

電子科大國(guó)家工程技術(shù)研究中心在二維單相多鐵方向取得重大突破

北京大學(xué)電子學(xué)院陳景標(biāo)研究團(tuán)隊(duì)在原子鐘領(lǐng)域取得重要突破

Nature | 康奈爾大學(xué)：光電功能器件最新突破

九峰山實(shí)驗(yàn)室再次在硅光子集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

中國(guó)科大在仿生光電神經(jīng)感知器件領(lǐng)域取得新突破

我國(guó)首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

國(guó)內(nèi)高校實(shí)現(xiàn)Micro LED技術(shù)突破，涉及深紫外、光通訊

我國(guó)科學(xué)家實(shí)現(xiàn)材料突破，可用于開(kāi)發(fā)低功耗芯片

IMEC使用ASML最新High-NA EUV取得芯片制造突破

晶鉆科技同質(zhì)外延單晶金剛石新突破

西電在邏輯運(yùn)算器件領(lǐng)域取得重要突破

積塔半導(dǎo)體BCD復(fù)合高壓隔離器平臺(tái)開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)：積沙成塔，用“芯”取得新突破

中國(guó)科學(xué)家在半導(dǎo)體領(lǐng)域獲突破登上《自然》雜志

Nano Lett.∣高效載流子倍增實(shí)現(xiàn)紫外光電探測(cè)器EQE突破

808nm高功率半導(dǎo)體激光芯片取得重大突破

我國(guó)高性能光子芯片領(lǐng)域取得突破可批量制造！

技術(shù)進(jìn)展|突破性研究：GaN-on-Diamond鍵合界面熱阻顯著降低

廈門大學(xué)于大全教授團(tuán)隊(duì)與華為團(tuán)隊(duì)合作在先進(jìn)封裝金剛石散熱技術(shù)領(lǐng)域取得突破

浙大科研團(tuán)隊(duì)新發(fā)現(xiàn)或突破電動(dòng)汽車鋰電池“快充和低溫”瓶頸

器件新突破！香港科技大學(xué)教授陳敬團(tuán)隊(duì)成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)晶體管！

中科院物理所陳小龍團(tuán)隊(duì)：晶圓級(jí)立方碳化硅單晶生長(zhǎng)取得突破

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