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南京郵電大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在用于低功率光通信的GaN/CuI異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外光伏探測(cè)器取得進(jìn)展

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

北大集成電路學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

南京大學(xué)在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進(jìn)展

許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級(jí)制備

中國(guó)科大微電子學(xué)院在GaN HEMT開關(guān)瞬態(tài)建模方向取得新進(jìn)展

中國(guó)科大微電子學(xué)院在GaN功率電子器件浪涌特性研究方向取得新進(jìn)展

中科院微電子所在GaN器件研究方面取得重要進(jìn)展

中科大孫海定iGaN實(shí)驗(yàn)室研究三維垂直集成microLED陣列實(shí)現(xiàn)無(wú)掩膜深紫外光刻新技術(shù)

北京大學(xué)在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進(jìn)展

技術(shù)進(jìn)展|突破性研究：GaN-on-Diamond鍵合界面熱阻顯著降低

北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

成果推薦| 基于凹槽二次外延技術(shù)的p-GaN柵極增強(qiáng)型電力電子器件

豐田合成、大阪大學(xué)等成功制備6吋GaN襯底

半導(dǎo)體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

北大團(tuán)隊(duì)新型器件技術(shù)加速GaN進(jìn)入工業(yè)與汽車應(yīng)用

新進(jìn)展│深圳大學(xué)劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測(cè)器研究新成果

聯(lián)合攻關(guān)成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功

山東大學(xué)彭燕、徐現(xiàn)剛團(tuán)隊(duì)在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復(fù)合襯底的進(jìn)展

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

日本開發(fā)新技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)GaN垂直導(dǎo)電

科研新進(jìn)展 | 廈門大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果

石墨烯/GaN異質(zhì)結(jié)中的雙極性光響應(yīng)及其在自由空間安全光通信中的應(yīng)用研究

南京大學(xué)在GaN基Micro LED研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

簡(jiǎn)述GaN 外延生長(zhǎng)方法及生長(zhǎng)模式

基于全HVPE生長(zhǎng)、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管

簡(jiǎn)述金剛石在 GaN 功率放大器熱設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

簡(jiǎn)述一種具有疊層鈍化結(jié)構(gòu)的高耐壓低功耗GaN功率器件

簡(jiǎn)述HVPE 法 GaN 單晶摻雜研究新進(jìn)展

簡(jiǎn)述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長(zhǎng)研究

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