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納維達(dá)斯半導(dǎo)體申請(qǐng) GaN 半橋電路等專(zhuān)利，提升電路性能

博睿光電梁超：功率器件封裝用高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化技術(shù) | IFWS&SSLCHINA2024

廣東巨風(fēng)半導(dǎo)體取得IGBT模塊專(zhuān)利，提高模塊性能

聯(lián)合微電子中心取得一種半導(dǎo)體器件專(zhuān)利，提升半導(dǎo)體器件性能

飛锃半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專(zhuān)利，提高器件性能和可靠性

合肥晶合集成電路申請(qǐng)一種半導(dǎo)體器件的制作方法專(zhuān)利，能夠提高半導(dǎo)體器件的性能

廣東氣派科技申請(qǐng) MOSFET 的封裝結(jié)構(gòu)專(zhuān)利，采用封裝結(jié)構(gòu)得到的 MOSFET 散熱性能佳

總投資310億元，星柯先進(jìn)光電顯示產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目高性能載板一號(hào)廠房主體封頂

左藍(lán)微電子高性能5G射頻濾波器項(xiàng)目啟動(dòng)

上海壁仞科技取得封裝結(jié)構(gòu)專(zhuān)利，提高散熱性能

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專(zhuān)利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

國(guó)創(chuàng)中心聯(lián)合研發(fā)中心逐步發(fā)力，“超高性能同質(zhì)外延Micro-LED”取得新突破

江蘇能華微取得 GaN 肖特基二極管相關(guān)專(zhuān)利，有效提高了 GaN 肖特基二極管的性能

蘇州晶湛半導(dǎo)體取得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專(zhuān)利，提高半導(dǎo)體外延層的性能

英飛凌推出高性能 CIPOS? Maxi 智能功率模塊，適用于功率高達(dá) 4 千瓦的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

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左藍(lán)微電子完成億元B+輪融資，持續(xù)打造射頻濾波器性能新高度

華羿微電申請(qǐng)高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)專(zhuān)利，降低功率器件制造成本

美國(guó)投資14億美元研發(fā)高性能Chiplet

長(zhǎng)光華芯申請(qǐng)高功率半導(dǎo)體激光芯片性能評(píng)估及結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法專(zhuān)利，有效提高評(píng)估結(jié)果準(zhǔn)確度

青禾晶元領(lǐng)跑?chē)?guó)際，成功研制8寸高性能濾波器用壓電材料POI襯底

西安8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)“交地即交證” 總投資45億元

西安8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目爭(zhēng)2024年建成投產(chǎn)

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)巫江：基于化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的高性能器件設(shè)計(jì)與制備

晶合集成申請(qǐng)半導(dǎo)體器件專(zhuān)利，提升半導(dǎo)體器件的性能

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動(dòng)低碳化的高性能系統(tǒng)

比亞迪半導(dǎo)體申請(qǐng)逆導(dǎo)型IGBT功率器件專(zhuān)利，有效抑制負(fù)阻效應(yīng)，提高器件性能

中科潞安量產(chǎn)產(chǎn)品性能再升級(jí) 大功率UVC-LED器件實(shí)驗(yàn)室效率破9.5%

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所榮獲北京市自然科學(xué)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)

豐田、本田、電裝、瑞薩電子等12家日企宣布合作開(kāi)發(fā)高性能汽車(chē)芯片

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