亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<input id="qmuqf"></input>

<u id="qmuqf"></u>

<noscript id="qmuqf"></noscript>

<u id="qmuqf"></u>

<u id="qmuqf"><li id="qmuqf"><table id="qmuqf"></table></li></u>

<u id="qmuqf"></u>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

安森美完成對Qorvo碳化硅JFET技術(shù)的收購

投資69億港元！香港首座世界先進(jìn)第三代半導(dǎo)體碳化硅八英寸晶圓廠簽約

清純半導(dǎo)體與士蘭微電子繼續(xù)深化8英寸碳化硅量產(chǎn)線技術(shù)支撐與代工合作

晶馳機電8英寸碳化硅電阻式長晶爐通過客戶驗證

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項目預(yù)計2026年一季度試生產(chǎn)

總投資約300億元，重慶8英寸碳化硅項目2月底通線投片！

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

碳化硅襯底龍頭天岳先進(jìn)擬港股上市

爍科晶體：全球首發(fā)12英寸（300mm）高純半絕緣碳化硅襯底

河北同光半導(dǎo)體申請具有 p/n 結(jié)結(jié)構(gòu)的碳化硅單晶柔性膜專利，實現(xiàn)碳化硅薄膜高效剝離且無損傷

浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長裝置專利，有利于生長空間的穩(wěn)定性

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

華為申請碳化硅襯底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻

長飛先進(jìn)武漢碳化硅基地設(shè)備進(jìn)場

上海積塔半導(dǎo)體申請碳化硅晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

年產(chǎn)36萬片，武漢一6寸碳化硅晶圓項目，首批設(shè)備搬入

金信新材料芯片用8英寸碳化硅晶錠項目完成研發(fā)

金信新材料芯片用第三代半導(dǎo)體8英寸碳化硅晶錠項目新進(jìn)展

突發(fā)！北京這家明星碳化硅企業(yè)，破產(chǎn)清算！

天岳先進(jìn)攜12英寸導(dǎo)電N型碳化硅襯底亮相SEMICON Japan 2024

總投資約2.3億元，賽美泰克IGBT及碳化硅產(chǎn)線核心設(shè)備項目持續(xù)刷新紀(jì)錄

雷諾與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅長期供應(yīng)協(xié)議

泰科天潤“一種低導(dǎo)通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”專利獲授權(quán)

三安光電林志東：8英寸碳化硅擬明年通線量產(chǎn)

泰科天潤“一種低導(dǎo)通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”專利獲授權(quán)

安森美將收購碳化硅JFET技術(shù)，以增強其針對人工智能數(shù)據(jù)中心的電源產(chǎn)品組合

碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)（二）|IFWS&SSLCHINA2024

超芯星入駐江北新區(qū)集成電路基地，全面開啟8英寸碳化硅單晶襯底量產(chǎn)

第1頁/共31頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<ul id="cswyw"><tbody id="cswyw"></tbody></ul>