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捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專(zhuān)利公布

智新半導(dǎo)體車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊2024年產(chǎn)量翻倍！

無(wú)錫錕芯半導(dǎo)體取得一種IGBT的驅(qū)動(dòng)裝置專(zhuān)利，實(shí)現(xiàn)IGBT本體的快速裝拆

捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專(zhuān)利公布

總投資約2.3億元，賽美泰克IGBT及碳化硅產(chǎn)線核心設(shè)備項(xiàng)目持續(xù)刷新紀(jì)錄

康美特龐凱敏：高可靠性碳化硅IGBT器件封裝材料 | IFWS&SSLCHINA2024

廣東巨風(fēng)半導(dǎo)體取得IGBT模塊專(zhuān)利，提高模塊性能

漢斯半導(dǎo)體取得一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置專(zhuān)利，拋光效率高

華潤(rùn)微“一種LIGBT器件及其制備方法”專(zhuān)利公布

晶益通12億元IGBT項(xiàng)目明年投產(chǎn)

揚(yáng)杰科技：IGBT和SiC產(chǎn)品有序推進(jìn)中

中車(chē)株洲所IGBT中標(biāo)全球最大綠色氫氨醇一體化項(xiàng)目

海南航芯IGBT模塊產(chǎn)品擬被認(rèn)定為2024年度海南省先進(jìn)裝備制造首臺(tái)套試點(diǎn)示范類(lèi)項(xiàng)目

芯華睿半導(dǎo)體車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅及硅基功率模塊（IGBT/SiC）項(xiàng)目量產(chǎn)

斯達(dá)半導(dǎo)：公司自主的車(chē)規(guī)級(jí)IGBT芯片已經(jīng)大批量生產(chǎn)并在新能源汽車(chē)行業(yè)大批量應(yīng)用多年

華潤(rùn)微：目前產(chǎn)能利用率滿載，已對(duì)部分MOSFET、IGBT等產(chǎn)品加價(jià)

復(fù)旦大學(xué)IGBT功率循環(huán)測(cè)試儀器（第二次）國(guó)際招標(biāo)公告

賽米控丹佛斯IGBT半導(dǎo)體功率模塊項(xiàng)目簽約南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)

晶益通半導(dǎo)體，IGBT 項(xiàng)目一期開(kāi)工！

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)魏杰：高速低損耗SOI LIGBT新結(jié)構(gòu)與機(jī)理研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)劉人寬：基于多層級(jí)多場(chǎng)域的壓接型IGBT模塊失效演化機(jī)制研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)張金平：IGBT的技術(shù)演進(jìn)與未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

捷捷微電子“一種帶有超結(jié)結(jié)構(gòu)的屏蔽柵IGBT”專(zhuān)利公布

芯聯(lián)集成：全球領(lǐng)先的新一代IGBT器件會(huì)在24年下半年量產(chǎn)，大幅提高單位晶圓片的芯片產(chǎn)出數(shù)量

宏微科技取得電動(dòng)汽車(chē)用IGBT或MOSFET版圖結(jié)構(gòu)專(zhuān)利，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大減小

勁拓股份：將持續(xù)推動(dòng)產(chǎn)品在IGBT、IC載板、FCBGA等生產(chǎn)制造領(lǐng)域應(yīng)用

日立能源推出應(yīng)用于IGBT的300毫米晶圓

比亞迪半導(dǎo)體申請(qǐng)逆導(dǎo)型IGBT功率器件專(zhuān)利，有效抑制負(fù)阻效應(yīng)，提高器件性能

安森美推出第七代IGBT智能功率模塊

廣州青藍(lán)IGBT正式投產(chǎn) 總投資4.63億元

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