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我國在太空成功驗證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

總投資10億元，芯瓷科技半導(dǎo)體功率器件用DPC陶瓷基板項目投產(chǎn)

世界首個采用6.5kV功率器件的柔性直流工程成功投運

昌龍智芯半導(dǎo)體功率器件項目投資超5億元

行業(yè)Top級廠商齊聚功率器件展區(qū)！CSE 2025等您來探！

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總投資3億元，深矽微科技功率器件封裝生產(chǎn)基地項目首批設(shè)備正式進場

南京大學(xué)在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進展

碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)（二）|IFWS&SSLCHINA2024

碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)發(fā)展探討（一）|IFWS&SSLCHINA2024

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平湖實驗室何光澤：面向SiC/GaN功率器件失效分析的測試技術(shù)與典型應(yīng)用| IFWS2024

博睿光電梁超：功率器件封裝用高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化技術(shù) | IFWS&SSLCHINA2024

國宇電子功率器件項目簽約揚州

湖南三安半導(dǎo)體申請功率器件專利，可提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力

【IFWS2024】碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)分會日程出爐

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗證

一文解開遠山氮化鎵功率器件實現(xiàn)耐高壓的秘密

士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目預(yù)計2025年試生產(chǎn)

遠山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（宜興）建設(shè)項目竣工投產(chǎn)

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華潤微：重慶12吋產(chǎn)線聚焦功率器件預(yù)計下半年可實現(xiàn)滿產(chǎn)

北京大學(xué)在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進展

CASAS SiC功率器件與模塊工作組第二次會議成功召開

清純半導(dǎo)體“半導(dǎo)體功率器件及其制備方法”專利公布

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