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全磊光電化合物半導(dǎo)體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目開工

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北京智慧能源研究院SiC外延片公開招標(biāo)采購(gòu)項(xiàng)目公開招標(biāo)公告

唐晶量子化合物半導(dǎo)體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項(xiàng)目竣工投產(chǎn)

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗(yàn)證

富加鎵業(yè)年產(chǎn)10000片6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線開工

瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長(zhǎng)缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權(quán)

普興電子6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目環(huán)評(píng)第二次公示

西安電子科技大學(xué)GaN-on-Si/SOI外延片采購(gòu)公開招標(biāo)公告二次

西安電子科技大學(xué)GaN-on-Si/SOI 外延片采購(gòu)公開招標(biāo)公告

CASICON晶體大會(huì)前瞻|才道精密儀器馬觀嵐：SiC/GaN襯底和外延片檢測(cè)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化

總投資超14億元，麥斯克電子年產(chǎn)360萬(wàn)片8英寸硅外延片項(xiàng)目封頂

能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目動(dòng)工，將新建6英寸GaN外延片產(chǎn)線

上海合晶：將積極探索及開發(fā)CIS等模擬器件使用12英寸外延片產(chǎn)品

晶旭半導(dǎo)體獲戰(zhàn)略投資協(xié)議，計(jì)劃實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)75萬(wàn)片ε相氧化鎵外延片（壓電領(lǐng)域用）

上海合晶募資超15億元投資優(yōu)質(zhì)外延片研發(fā)項(xiàng)目

半導(dǎo)體硅外延片一體化制造商上海合晶啟動(dòng)科創(chuàng)板IPO

第四代半導(dǎo)體迎來(lái)新進(jìn)展相關(guān)A股公司搶抓“新風(fēng)口”

重大突破！第三代半導(dǎo)體在寧加速布局

電科材料下屬國(guó)盛公司第一枚碳化硅外延片正式下線

中電化合物8英寸SiC外延片首批產(chǎn)品交付

中電化合物完成客戶首批次8英寸SiC外延片產(chǎn)品交付

泰高技術(shù)與鎵宏半導(dǎo)體一同致力于氮化鎵外延片領(lǐng)域的全面戰(zhàn)略推進(jìn)

上海合晶IPO通過(guò)科創(chuàng)板上市委會(huì)議為半導(dǎo)體硅外延片一體化制造商

Transphorm與美國(guó)國(guó)家安全技術(shù)加速機(jī)構(gòu)簽訂協(xié)議用于開發(fā)GaN外延片

合盛硅業(yè)：目前2萬(wàn)片寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅襯底及外延片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線項(xiàng)目已通過(guò)驗(yàn)收，實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

Arche開啟韓國(guó)首個(gè)碳化硅外延片量產(chǎn)

國(guó)產(chǎn)碳化硅外延片供應(yīng)商天域股份開啟上市輔導(dǎo)

晶睿電子2023年將開展碳化硅外延片業(yè)務(wù)

立昂微擬11.3億元增資金瑞泓，加碼“年產(chǎn)180萬(wàn)片12英寸半導(dǎo)體硅外延片項(xiàng)目”

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