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中科院理化所&吉大&中科大Nature Nano.：用于超高分辨率micro-LED顯示器的遠(yuǎn)程外延晶體鈣鈦礦

全磊光電化合物半導(dǎo)體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目開工

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《異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測(cè)試白光干涉法》CSA團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)第一次討論會(huì)召開

天域半導(dǎo)體取得水平氣流SiC外延設(shè)備石英鐘罩內(nèi)壁清潔工具專利，能夠保證石英鐘罩的清潔效果符合爐膛反應(yīng)需求

成都士蘭半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低外延自摻雜效應(yīng)

北京智慧能源研究院SiC外延片公開招標(biāo)采購項(xiàng)目公開招標(biāo)公告

唐晶量子化合物半導(dǎo)體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項(xiàng)目竣工投產(chǎn)

鎵和半導(dǎo)體李山：氧化鎵PECVD外延生長(zhǎng)及光電信息感知器件研究

中微公司陳丹瑩：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生長(zhǎng)的CVD設(shè)備 |?IFWS&SSLCHINA2024

北京大學(xué)沈波教授：基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件——IFWS&SSLCHINA2024

晶盛機(jī)電：8英寸碳化硅外延設(shè)備和光學(xué)量測(cè)設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷售，12英寸三軸減薄拋光機(jī)拓展至國(guó)內(nèi)頭部封裝客戶

【IFWS2024】碳化硅襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)日程公布

IFWS2024：氮化物襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)日程出爐

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗(yàn)證

晶盛機(jī)電8英寸碳化硅外延設(shè)備和光學(xué)量測(cè)設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷售

芯聯(lián)集成“外延設(shè)備”專利獲授權(quán)

長(zhǎng)宇科技取得一項(xiàng)外延生長(zhǎng)基盤用高均質(zhì)性特種石墨材料的制備方法專利，能夠保持產(chǎn)品制備的穩(wěn)定性

廣東中科半導(dǎo)體微納制造技術(shù)研究院外延平臺(tái)高純液氨采購項(xiàng)目(二次)招標(biāo)公告

富加鎵業(yè)年產(chǎn)10000片6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線開工

國(guó)創(chuàng)中心聯(lián)合研發(fā)中心逐步發(fā)力，“超高性能同質(zhì)外延Micro-LED”取得新突破

中國(guó)電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備獲升級(jí)

西安奕斯偉材料申請(qǐng)用于外延設(shè)備的處理方法專利

瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長(zhǎng)缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權(quán)

晶盛機(jī)電：12英寸硅減壓外延生長(zhǎng)設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷售出貨，ALD設(shè)備處于驗(yàn)證階段

蘇州晶湛半導(dǎo)體取得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導(dǎo)體外延層的性能

普興電子6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目環(huán)評(píng)第二次公示

天域半導(dǎo)體碳化硅外延項(xiàng)目即將試產(chǎn)

北京理工大學(xué)團(tuán)隊(duì)在雜化范德華外延生長(zhǎng)研究方向取得重要突破

晶鉆科技同質(zhì)外延單晶金剛石新突破

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