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杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請(qǐng)一種功率開(kāi)關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

無(wú)錫博通申請(qǐng)半橋GaN增強(qiáng)型開(kāi)關(guān)器件及其制備方法專利，保證器件的高速開(kāi)關(guān)

中國(guó)科大微電子學(xué)院在GaN HEMT開(kāi)關(guān)瞬態(tài)建模方向取得新進(jìn)展

捷捷微電取得降低開(kāi)關(guān)損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法專利，降低了開(kāi)關(guān)損耗

CASA立項(xiàng)GaN HEMT非鉗位感性負(fù)載開(kāi)關(guān)魯棒性測(cè)試方法1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

CSPSD 2024成都前瞻 |中國(guó)科學(xué)院微電子研究所蔣其夢(mèng)：氮化鎵功率器件開(kāi)關(guān)安全工作區(qū)的研究

日本開(kāi)發(fā)在磁場(chǎng)下實(shí)現(xiàn)電阻開(kāi)關(guān)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件

中國(guó)西電獲得發(fā)明專利授權(quán)：“基于大容量電力電子開(kāi)關(guān)施加故障電流裝置及試驗(yàn)方法”

聞泰科技、重慶大學(xué)聯(lián)合提案的SiC MOSFET開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)提案立項(xiàng)

簡(jiǎn)述通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器提高開(kāi)關(guān)電源功率密度

問(wèn)卷 | SiC MOSFET開(kāi)關(guān)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)預(yù)研問(wèn)卷

標(biāo)準(zhǔn) | 電子五所牽頭的T/CASAS 005《用于硬開(kāi)關(guān)電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》形成委員會(huì)草案

Wolfspeed：先進(jìn)碳化硅技術(shù)賦能離線式開(kāi)關(guān)電源的優(yōu)勢(shì)

意法半導(dǎo)體雙通道高邊開(kāi)關(guān)為容性負(fù)載驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)帶來(lái)更多靈活性

R&S聯(lián)合FormFactor為得克薩斯大學(xué)奧斯汀分校研究5G和6G改進(jìn)型射頻開(kāi)關(guān)提供支持

【CASICON 2021】西安交通大學(xué)李強(qiáng)：大面積hBN薄膜制備及電阻開(kāi)關(guān)特性研究

【CASICON 2021】美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在過(guò)壓開(kāi)關(guān)中的魯棒性

【CASICON 2021】南京工業(yè)職業(yè)技術(shù)大學(xué)雷建明：GaN功率開(kāi)關(guān)器件及其高頻電源應(yīng)用

CASICON 2021前瞻：南京大學(xué)陳敦軍教授將出席南京功率與射頻半導(dǎo)體應(yīng)用峰會(huì)

南京集芯光電雷建明：氮化鎵功率開(kāi)關(guān)器件及其在超輕薄開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域的應(yīng)用研究

碳化硅如何能夠提升開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)？

如何減少SiC MOSFET的EMI和開(kāi)關(guān)損耗

新聞發(fā)布 | 超低導(dǎo)通阻抗USB C受電接口保護(hù)開(kāi)關(guān)，可提供140W的高功率

如何放緩開(kāi)關(guān)期間的dV/dt

C&K 開(kāi)發(fā)超小型防水微動(dòng)開(kāi)關(guān)

關(guān)于開(kāi)關(guān)頻率需考慮的因素

減少開(kāi)關(guān)損耗：儒卓力提供來(lái)自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

意法半導(dǎo)體推出安應(yīng)用型的快速啟動(dòng)智能功率開(kāi)關(guān)(IPS)

直接通過(guò)汽車電池輸入進(jìn)行DC-DC轉(zhuǎn)換：5 A、3.3 V和5 V電源符合嚴(yán)格的EMI輻射標(biāo)準(zhǔn)

IGBT –電動(dòng)汽車空調(diào)的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)

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