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日本團(tuán)隊(duì)：金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展

豐田、本田、電裝、瑞薩電子等12家日企宣布合作開發(fā)高性能汽車芯片

富士電機(jī)將在3年內(nèi)投資2000億日元用于碳化硅產(chǎn)線建設(shè)

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

IFWS 2023│日本大阪大學(xué)陳傳彤：SiC功率模塊中微米級Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展

IFWS 2023│日本國立材料研究所桑立雯：GaN MEMS/NEMS應(yīng)變調(diào)控諧振器

東芝和羅姆將合作生產(chǎn)功率半導(dǎo)體日本政府補(bǔ)貼8.3億美元

日本Rapidus、東京大學(xué)與法國研究機(jī)構(gòu)合作開發(fā)1nm制程半導(dǎo)體

日本開發(fā)新技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)GaN垂直導(dǎo)電

日本電裝：到2030年將向半導(dǎo)體投資近5000億日元計劃與多家企業(yè)建立戰(zhàn)略合作

日本三菱電機(jī)牽頭提議構(gòu)建功率半導(dǎo)體國際標(biāo)準(zhǔn)

力晶半導(dǎo)體考慮斥資 54億美元在日本建造 5 個工廠

日本研發(fā)出氧化鎵低成本制法

日本首相將公布經(jīng)濟(jì)對策，扶持國內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)

三菱化學(xué)計劃在日本新建半導(dǎo)體材料工廠

日本 Rapidus 計劃到 2027 年建造尖端晶圓廠，向臺積電挑戰(zhàn)

傳日本更可能實(shí)施對光刻/薄膜沉積設(shè)備的出口管制

碳化硅，我選你！”——平頂山市長率團(tuán)考察日本碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)|產(chǎn)業(yè)鏈情報站

外媒：日本將加強(qiáng)電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施，到 2030 年高速充電樁功率提高至 90 kW

中國上半年汽車出口居世界首位，首超日本

日本正式實(shí)施半導(dǎo)體出口管制外交部回應(yīng)！

日本今起實(shí)施尖端半導(dǎo)體出口管制，中方此前回應(yīng)：對出口管制措施的濫用

日本將向半導(dǎo)體材料大企業(yè)SUMCO提供最高750億日元補(bǔ)貼

外媒：松下 Connect 增產(chǎn)半導(dǎo)體貼片機(jī) 計劃投資 150 億日元擴(kuò)建中國和日本工廠

日本將向晶圓廠 Sumco 提供 750 億日元資金以提高產(chǎn)能

日本政府?dāng)M推出新補(bǔ)貼制度旨在確保半導(dǎo)體生產(chǎn)所需工業(yè)用水

歐盟和日本簽署備忘錄加強(qiáng)半導(dǎo)體、網(wǎng)絡(luò)安全和海底電纜合作

日本和歐盟將簽署加強(qiáng)半導(dǎo)體領(lǐng)域合作備忘錄

日本與荷蘭簽署半導(dǎo)體合作備忘錄，采購ASML光刻機(jī)推進(jìn)2nm工藝

日本與荷蘭簽半導(dǎo)體合作備忘錄

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