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外媒：日企將大規(guī)模量產(chǎn)氧化鎵器件

A 輪融資近億元！銘鎵半導(dǎo)體將建國內(nèi)首條氧化鎵完整產(chǎn)業(yè)線

復(fù)旦大學(xué)盧紅亮課題組在柔性氧化鎵光電探測器方面取得重要研究進(jìn)展實現(xiàn)超靈敏的深紫外光探測率

西安交大在氧化物薄膜外延領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

一文了解第四代半導(dǎo)體材料氧化鎵(Ga2O3)

中國科大在氧化鎵功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

華中科技大學(xué)黃亮課題組提出膨化制備超薄氧化物新策略

中國研發(fā)再突破！15億美元的氧化鎵市場如何引發(fā)多國博弈？

第四代半導(dǎo)體氧化鎵，浙大杭州科創(chuàng)中心新技術(shù)路線制備 2 英寸晶圓

國際首創(chuàng)！浙大杭州科創(chuàng)中心首次采用新技術(shù)路線成功制備2英寸氧化鎵晶圓

未來10年左右，氧化鎵器件或成為有競爭力的電力電子器件

日本團(tuán)隊合作開發(fā)出高品質(zhì)第三代100mm氧化鎵外延片

氧化鎵功率半導(dǎo)體6英寸新突破，成本有望大降

世界上首次用HVPE法在6英寸晶片上氧化鎵成膜成功

西電周弘教授：超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵器件最新研究進(jìn)展

上海硅酸鹽所在自發(fā)凝固成型制備大尺寸/復(fù)雜形狀高純氧化鋁部件方面取得新進(jìn)展

國際首次 | β相氧化鎵功率品質(zhì)因子國際首次超越SiC理論極限

Novel Crystal Technology宣布開發(fā)出世界第一款安培級1200 V耐壓的“氧化鎵肖特基勢壘二極管”

美國康奈爾大學(xué)教授Huili Grace XING：對抗氮化鎵和碳化硅的氧化鎵功率器件Ga2O3

大連理工大學(xué)王德君教授：SiC MOS器件氧化后退火新途徑--低溫再氧化退火技術(shù)

中科大在日盲紫外探測領(lǐng)域取得新進(jìn)展

鄭州大學(xué)物理學(xué)院在氧化鎵基日盲光電探測方面取得進(jìn)展

下一代半導(dǎo)體：越走越“寬”，還是越“窄”？

【CASICON 2021】美國弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊：氧化鎵功率器件制備與封裝技術(shù)

【CASICON 2021】南京大學(xué)葉建東：氧化鎵雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究

【CASICON 2021】中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世兵：低成本高性能氧化鎵功率器件

CASICON 2021前瞻：低成本高性能氧化鎵半導(dǎo)體功率電子器件

CASICON 2021前瞻：氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究

浙大杭州科創(chuàng)中心獲得首批氧化鎵單晶襯底

洪泰基金領(lǐng)投 “氧化鎵”材料產(chǎn)業(yè)化先行者銘鎵半導(dǎo)體完成數(shù)千萬元Pre-A輪融資

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