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晶馳機(jī)電8英寸碳化硅電阻式長晶爐通過客戶驗證

泰科天潤“一種低導(dǎo)通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”專利獲授權(quán)

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廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長裝置專利，提高晶體生長速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體申請半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，使半導(dǎo)體器件獲得更好的散熱結(jié)構(gòu)以及更低的電阻率

揚杰科技申請一種多導(dǎo)電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專利，降低平面柵垂直導(dǎo)電 MOSFET 導(dǎo)通電阻

標(biāo)準(zhǔn) | 2項GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

北京大學(xué)申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

昕感科技推出兼容15V柵壓驅(qū)動的1200V/13mΩ低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET

北京大學(xué)申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》等兩項團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

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日本開發(fā)在磁場下實現(xiàn)電阻開關(guān)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件

晶合集成取得半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，改善電阻Rc并提高良率

北京大學(xué)申請?zhí)蓟杵矫鏂臡OSFET器件及其制備方法專利，能夠降低器件的溝道電阻

北大團(tuán)隊研發(fā)超低動態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于6500V

翠展微：IGBT模塊關(guān)斷電阻對關(guān)斷尖峰的非單調(diào)性影響

科友半導(dǎo)體董事長趙麗麗：電阻爐八英寸碳化硅制備技術(shù)探索

CASA發(fā)布《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告

中鎵半導(dǎo)體：挑戰(zhàn)最高GaN體電阻率，開發(fā)更高電阻率的半絕緣GaN自支撐襯底

東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告已形成委員會草案

北京交大科研團(tuán)隊提出GaN器件動態(tài)導(dǎo)通電阻的精確測試與優(yōu)化方法

東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告已形成委員會草案

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

標(biāo)準(zhǔn) | 電子五所牽頭的T/CASAS 005《用于硬開關(guān)電路的GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》形成委員會草案

科友半導(dǎo)體應(yīng)用電阻長晶爐突破高速率高品質(zhì)SiC晶體生長的關(guān)鍵技術(shù)

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