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江蘇第三代半導(dǎo)體研究院：推動產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力整體躍升

華南理工大學(xué)李國強教授：可見光通信系統(tǒng)中核心元器件研究

北京大學(xué)物理學(xué)院教授于彤軍：大尺寸AlN單晶的同質(zhì)PVT生長研究

深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長武紅磊：氮化鋁晶體PVT生長裝置及技術(shù)研究

中科院蘇州納米研究所司志偉：助熔劑法氮化鎵微碟不同極性面的光學(xué)性能

日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所沈旭強：無氨高溫 MOCVD 生長的高質(zhì)量極性和半極性氮化鋁

中科院半導(dǎo)體研究所張逸韻：玻璃襯底氮化物異構(gòu)外延

河北半導(dǎo)體研究所高楠：國產(chǎn)4英寸GaN襯底上MOCVD外延高質(zhì)量AlGaN/GaN HEMT材料

中科院寧波材料技術(shù)與工程研究所陳荔：基于藍(lán)寶石襯底的半極性面AlN外延及高溫?zé)崽幚?span id="ww2ussw" class="highlight">研究

華東光電集成器件研究所展明浩：MEMS傳感器發(fā)展現(xiàn)狀及在自動駕駛中的應(yīng)用

上海電驅(qū)動電控研究院院長陳雷：功率半導(dǎo)體在新能源汽車電機控制器中的應(yīng)用

中科院半導(dǎo)體研究所張連：亞毫米波段GaN基HEMT與選區(qū)外延技術(shù)研究

南京電子器件研究所張凱：大功率GaN微波毫米波二極管及其創(chuàng)新應(yīng)用

西安電子科技大學(xué)劉志宏：面向移動SoC應(yīng)用的氮化鎵射頻器件研究進(jìn)展

中電科第十三研究所梁士雄：基于氮化鎵肖特基二極管的高性能太赫茲倍頻器

中國工程物理研究院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心曾建平：寬頻段高效率單片集成GaN基SBD倍頻電路研究

美國Analog設(shè)備張薇葭：基于直接鍵合工藝液冷散熱技術(shù)的緊湊型氮化鎵功率模塊設(shè)計及其熱學(xué)模型研究

北京大學(xué)物理學(xué)院楊學(xué)林：Si襯底上GaN基功率電子材料及器件研究

西安電子科技大學(xué)王婷婷：基于金屬氮化物陽極的凹槽雙陽極SBD研究

南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院汪青：GaN器件及其系統(tǒng)的最新研究進(jìn)展

深圳大學(xué)微電子研究院劉新科：2寸獨立晶圓上1.7 kV垂直GaN-on-GaN肖特基勢壘二極管

電子科技大學(xué)李曦：GaN HEMT功率器件的熱瞬態(tài)測試方法與機理研究

廈門大學(xué)黃凱：紫外光電器件中的極化激元和等離激元研究

港科技術(shù)（佛山）董國帥：峰值波長為 222nm 的遠(yuǎn)紫外線KrCl準(zhǔn)分子燈的活化能和壽命研究

中科院半導(dǎo)體所張逸韻：基于MOCVD生長的β-Ga2O3納米線晶體管及其日盲光電晶體管探測器研究

西安交通大學(xué)王艷豐：大面積單晶金剛石及場效應(yīng)晶體管的研究

鄭州大學(xué)劉玉懷：六方氮化硼薄膜在不同襯底上的生長研究綜述

鄭州大學(xué)Mussaab I. Niass：藍(lán)寶石襯底上BGaN基深紫外邊發(fā)射激光二極管的仿真研究

艾歐史密斯（中國）陳小波：紫外殺菌技術(shù)在凈水器中的應(yīng)用研究

哈爾濱工業(yè)大學(xué)趙麗麗：低成本碳化硅單晶材料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究

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