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上海燁映微電子申請 GaN 晶體管與柵極驅(qū)動器合封專利，實現(xiàn)高頻能力

成都氮矽科技申請 N 面增強型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

華虹半導體申請集成半導體器件及其制備方法專利，提高芯片整體抗EMI能力

大連理工大學學生團隊攻克新型電力系統(tǒng)抗擾動能力弱難題

全球功率半導體龍頭聞泰科技：三季報強勢翻盤，盈利能力持續(xù)提升

方正微電子：2025年將具備16.8萬片/年車規(guī)SiC MOS生產(chǎn)能力

晶盛機電：產(chǎn)品優(yōu)勢體現(xiàn)在全產(chǎn)業(yè)鏈核心裝備供應能力，半導體大硅片設(shè)備國際領(lǐng)先，公司高品質(zhì)碳化硅襯底核心參數(shù)指標達到行業(yè)一流

揚杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

強烈信號！三部委發(fā)布重磅文件，聚焦儲能系統(tǒng)調(diào)節(jié)能力！

廣東微納院半導體微納加工中試平臺通線，具有8英寸硅晶圓和氮化鎵晶圓加工能力

北京將提升智慧能源供應保障能力推進大功率充電設(shè)施建設(shè)

越南政策扶持提升芯片制造能力

九峰山實驗室建立先進半導體材料表征分析能力

前瞻布局，九峰山實驗室建立異質(zhì)集成先進鍵合能力

北大團隊研發(fā)超低動態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于6500V

九峰山實驗室全面布局SiC溝槽器件能力

天岳先進：8英寸碳化硅襯底上已經(jīng)具備量產(chǎn)能力

天岳先進：在8英寸碳化硅襯底上已具備量產(chǎn)能力

捷捷微電：南通半導體6英寸項目已于三季度投產(chǎn) 達產(chǎn)后預計可形成6英寸晶圓100萬片/年及100億只/年功率半導體封測器件的產(chǎn)業(yè)化能力

工信部印發(fā)《集成電路產(chǎn)業(yè)人才崗位能力要求》標準

天岳先進：公司在8英寸碳化硅襯底上已具備量產(chǎn)能力已實現(xiàn)小批量銷售

長電科技：具備4nm、Chiplet先進封裝技術(shù)規(guī)模量產(chǎn)能力

國星光電：目前公司用于儲能的第三代半導體器件已具備量產(chǎn)能力

池州加快提升半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力

合盛硅業(yè)；子公司成功研發(fā) 碳化硅半導體材料并具備量產(chǎn)能力

合盛硅業(yè)：子公司成功研發(fā) 碳化硅半導體材料并具備量產(chǎn)能力

高端制造認證 | 利亞德通過智能制造能力成熟度評估

武漢光谷兩家國家級制造業(yè)創(chuàng)新中心能力建設(shè)項目通過工信部驗收

加強半導體基礎(chǔ)能力建設(shè) 點亮半導體自立自強發(fā)展的“燈塔”

俄亥俄州立大學的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力

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