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【CASICON 2021】奧趨光電吳亮：AlN/AlScN材料制備技術(shù)及其在5GRFFE濾波及功率器件等領(lǐng)域應(yīng)用前景展望

【CASICON 2021】中電科五十五所劉強(qiáng)：碳化硅MOSFET技術(shù)問(wèn)題及55所產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展

【CASICON 2021】南京郵電大學(xué)張珺：基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技術(shù)

【CASICON 2021】廈門大學(xué)梅洋：氮化鎵基VCSEL技術(shù)進(jìn)展

【CASICON 2021】唐晶量子龔平：6 inch GaAs基VCSEL和射頻外延技術(shù)

【CASICON 2021】美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在過(guò)壓開關(guān)中的魯棒性

【CASICON 2021】美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊：氧化鎵功率器件制備與封裝技術(shù)

【CASICON 2021】北京大學(xué)楊學(xué)林：Si襯底上GaN基電子材料外延生長(zhǎng)技術(shù)研究進(jìn)展

【CASICON 2021】南砂晶圓彭燕：碳化硅與金剛石單晶襯底技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化研究

【CASICON 2021】西交利物浦大學(xué)劉雯：硅基GaN MIS-HEMT單片集成技術(shù)

【CASICON 2021】南京航空航天大學(xué)張之梁：1kV寬禁帶LLC變換器控制與應(yīng)用

CASICON 2021：2021中國(guó)（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)最新看點(diǎn)

【CASICON 2021】青島聚能創(chuàng)芯劉海豐：面向快充應(yīng)用的GaN材料和器件技術(shù)

【CASICON 2021】愛發(fā)科左超：量產(chǎn)高性能功率與射頻器件的 ULVAC裝備技術(shù)

【CASICON 2021】南京大學(xué)葉建東：氧化鎵雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究

【CASICON 2021】南京大學(xué)陳鵬：低開啟/超高壓GaN肖特基功率器件研究新進(jìn)展

【CASICON 2021】電子科技大學(xué)鄧小川：極端應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET的動(dòng)態(tài)可靠性研究

【CASICON 2021】中科院上海微系統(tǒng)研究所鄭理：SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)

【CASICON 2021】美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊：超過(guò)SiC限制的 1.2-10 kV GaN功率器件

【CASICON 2021】第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長(zhǎng)于坤山：中國(guó)功率與射頻技術(shù)市場(chǎng)現(xiàn)狀及未來(lái)展望

【CASICON 2021】啟迪半導(dǎo)體鈕應(yīng)喜：碳化硅外延裝備及技術(shù)進(jìn)展

【CASICON 2021】中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世兵：低成本高性能氧化鎵功率器件

【CASICON 2021】東南大學(xué)教授劉斯揚(yáng)：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展

【CASICON 2021】Crosslight創(chuàng)始人李湛明：將GaN功率器件推向極限——材料和TCAD視角

【CASICON 2021】云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家惠峰：VCSEL用六英寸超低位錯(cuò)密度砷化鎵單晶片研制及應(yīng)用

【CASICON 2021】湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技戴小平：SiC模塊封裝技術(shù)探討

【CASICON 2021】中國(guó)電科首席科學(xué)家陳堂勝：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件

【CASICON 2021】南京工業(yè)職業(yè)技術(shù)大學(xué)雷建明：GaN功率開關(guān)器件及其高頻電源應(yīng)用

CASICON 2021前瞻：6 inch GaAs 基 VCSEL 和射頻外延技術(shù)

CASICON 2021前瞻：碳化硅MOSFET技術(shù)問(wèn)題及55所產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展

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