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清純半導(dǎo)體SiC MOSFET年度銷售額首次突破億元

萬國半導(dǎo)體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

基于新型SiC復(fù)合襯底的低成本MOSFET取得重要進(jìn)展

森國科申請 MOSFET 結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，降低飽和電流

揚(yáng)杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

吳偉東：SiC功率MOSFET老化檢測智能柵極驅(qū)動(dòng)器

泰科天潤“一種低導(dǎo)通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”專利獲授權(quán)

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IFWS&SSLCHINA2024|CASA9項(xiàng) SiC MOSFET測試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布

華虹半導(dǎo)體“低壓超結(jié)MOSFET的工藝方法”專利公布

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗(yàn)證

揚(yáng)杰電子申請新型多級(jí)溝道SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)與制造方法專利，方法制作工藝簡單

上海華虹宏力申請接觸孔自對(duì)準(zhǔn)的MOSFET制造方法專利

廣東氣派科技申請 MOSFET 的封裝結(jié)構(gòu)專利，采用封裝結(jié)構(gòu)得到的 MOSFET 散熱性能佳

華虹宏力“一種嵌入式肖特基MOSFET制作方法”專利公布

SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

ST官宣！推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)

揚(yáng)杰科技申請一種多導(dǎo)電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專利，降低平面柵垂直導(dǎo)電 MOSFET 導(dǎo)通電阻

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件制備方法相關(guān)專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過薄

芯聯(lián)集成：2023年及2024年上半年，公司SiC MOSFET產(chǎn)品出貨量均位居國內(nèi)第一

芯導(dǎo)科技申請一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

華潤微推出寬SOA系列MOSFET產(chǎn)品

萃錦半導(dǎo)體籌建碳化硅MOSFET項(xiàng)目月產(chǎn)增至3000片

揚(yáng)杰科技申請一種改善雙極退化的碳化硅 MOSFET 器件及制備方法的專利

羅姆第4代SiC MOSFET大量應(yīng)用于吉利旗下品牌“極氪”3款車型

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

華羿微電取得一種寬 SOA 屏蔽柵 MOSFET 器件及制備方法專利，提升器件整體的 SOA

河北博威集成電路取得集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制備方法專利

積塔半導(dǎo)體“基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件及其制備方法”專利公布

捷捷微電取得降低開關(guān)損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法專利，降低了開關(guān)損耗

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