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中電南方國(guó)基集團(tuán)李士顏：功率碳化硅MOSFET芯片及模塊研究進(jìn)展及應(yīng)用

功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程提速，當(dāng)前國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)格局如何？

CREE科銳John Palmour ：賦能未來(lái)，勇往直前 SiC MOSFET問(wèn)世10周年的思索

東芝推出采用TOLL封裝的650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET 助力提高大電流設(shè)備的效率

東芝將新建 300mm 晶圓廠，用于生產(chǎn) MOSFET 和 IGBT

新一代 SiC 功率 MOSFET 器件研究進(jìn)展

東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業(yè)設(shè)備效率和小型化

碳化硅，十四五研發(fā)的第三代半導(dǎo)體熱門材料！

安森美半導(dǎo)體發(fā)布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET

聯(lián)合電子首款基于 SiC MOSFET的 6.6kW 車載充配電單元批產(chǎn)

中國(guó)公司在汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展方向

如何減少SiC MOSFET的EMI和開關(guān)損耗

紫光國(guó)微：公司半導(dǎo)體功率器件業(yè)務(wù)的主要產(chǎn)品包括MOSFET、IGBT、IGTO等以及相關(guān)的電源管理集成電路產(chǎn)品

我國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)整體發(fā)展向好 MOSFET市場(chǎng)規(guī)模快速增長(zhǎng)

青銅劍科技董事長(zhǎng)汪之涵：用心打造中國(guó)“芯”

華潤(rùn)微發(fā)漲價(jià)函！打響2021年，MOSFET漲價(jià)第一槍

日本豐田汽車公司Kimimori HAMADA：超窄體（UNB）MOSFET和接地窄而深p（GND）MOSFET的4H-SiC MOSFET的新挑戰(zhàn)性結(jié)構(gòu)

中電科55所李士顏博士：碳化硅功率MOSFET研究進(jìn)展

東芝推出1200V碳化硅MOSFET！適用于高效率電源

8吋晶圓產(chǎn)能緊缺，MOSFET價(jià)格加速上漲

六步挑選一個(gè)碳化硅MOSFET

晶圓產(chǎn)能緊張需求暴漲 MOSFET價(jià)格或飆升20%

減少開關(guān)損耗：儒卓力提供來(lái)自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)在雪崩條件下的魯棒性評(píng)估

采用Wolfspeed 第三代 650V SiC MOSFET，突破電源效率屏障

分析本土車規(guī)級(jí)IGBT產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、行業(yè)格局及未來(lái)趨勢(shì)

使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動(dòng)器的能源效率

科銳推出新型650V MOSFET，提供業(yè)界領(lǐng)先效率，助力新一代電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能應(yīng)用創(chuàng)新

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