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揚杰電子申請新型多級溝道SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)與制造方法專利，方法制作工藝簡單

英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V，直流母線電壓最高可達1500 VDC，效率更高，設(shè)計更簡單

富特科技：已實現(xiàn)SiC半導(dǎo)體器件在產(chǎn)品中的量產(chǎn)應(yīng)用，且應(yīng)用技術(shù)已相對成熟

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所SiC晶圓平坦化設(shè)備采購項目競爭性磋商

爍科晶體SiC二期項目通過竣工驗收，正式投產(chǎn)！

新潔能：SiC/GaN項目年底竣工投產(chǎn)

鉅芯半導(dǎo)體新建SiC生產(chǎn)線

方正微電子8吋SiC線年底通線

方正微電子：2025年將具備16.8萬片/年車規(guī)SiC MOS生產(chǎn)能力

SiC MOSFET 閾值電壓等9項技術(shù)標準形成委員會草案

泰國將投資3.5億美元建設(shè)首個SiC工廠，預(yù)計2027年運營

利用SiC模塊進行電動壓縮機設(shè)計要點

20億！科友半導(dǎo)體SiC項目簽約杭州

ST官宣！推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)

長飛先進武漢基地SiC項目

芯聯(lián)集成：2023年及2024年上半年，公司SiC MOSFET產(chǎn)品出貨量均位居國內(nèi)第一

漢磊&世界先進攜手共建8吋SiC產(chǎn)線

羅姆與聯(lián)合汽車電子簽署SiC功率元器件長期供貨協(xié)議

捷報！合盛8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底項目全線貫通

上半年SiC汽車中國銷售近110萬輛，多家SiC概念股受益業(yè)績大增

河北同光半導(dǎo)體取得SiC專利，實現(xiàn)將源于生長區(qū)石墨件腐蝕引起的包裹物分布控制在晶體邊緣

三安半導(dǎo)體與虹安微電子戰(zhàn)略合作，加強SiC領(lǐng)域合作

芯聯(lián)集成：公司SiC以及功率模組的增長主要受益于頭部客戶需求增加及國產(chǎn)替代的需求

羅姆第4代SiC MOSFET大量應(yīng)用于吉利旗下品牌“極氪”3款車型

德智新材半導(dǎo)體用SiC部件材料研發(fā)制造基地項目落戶惠山經(jīng)開區(qū)

揚杰科技：IGBT和SiC產(chǎn)品有序推進中

三安光電：上半年營業(yè)收入76.79億元，SiC營收5.12億元

《Applied Physics Letters》發(fā)表西電大馬曉華教授研究組科研成果

半導(dǎo)體用SiC部件材料研發(fā)制造基地項目落戶惠山經(jīng)開區(qū)

總投資約10億元，半導(dǎo)體用SiC部件材料研發(fā)制造基地項目簽約落地

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