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20億！科友半導(dǎo)體SiC項(xiàng)目簽約杭州

ST官宣！推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)

長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地SiC項(xiàng)目

芯聯(lián)集成：2023年及2024年上半年，公司SiC MOSFET產(chǎn)品出貨量均位居國(guó)內(nèi)第一

漢磊&世界先進(jìn)攜手共建8吋SiC產(chǎn)線

羅姆與聯(lián)合汽車(chē)電子簽署SiC功率元器件長(zhǎng)期供貨協(xié)議

捷報(bào)！合盛8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底項(xiàng)目全線貫通

上半年SiC汽車(chē)中國(guó)銷售近110萬(wàn)輛，多家SiC概念股受益業(yè)績(jī)大增

河北同光半導(dǎo)體取得SiC專利，實(shí)現(xiàn)將源于生長(zhǎng)區(qū)石墨件腐蝕引起的包裹物分布控制在晶體邊緣

三安半導(dǎo)體與虹安微電子戰(zhàn)略合作，加強(qiáng)SiC領(lǐng)域合作

芯聯(lián)集成：公司SiC以及功率模組的增長(zhǎng)主要受益于頭部客戶需求增加及國(guó)產(chǎn)替代的需求

羅姆第4代SiC MOSFET大量應(yīng)用于吉利旗下品牌“極氪”3款車(chē)型

德智新材半導(dǎo)體用SiC部件材料研發(fā)制造基地項(xiàng)目落戶惠山經(jīng)開(kāi)區(qū)

揚(yáng)杰科技：IGBT和SiC產(chǎn)品有序推進(jìn)中

三安光電：上半年?duì)I業(yè)收入76.79億元，SiC營(yíng)收5.12億元

《Applied Physics Letters》發(fā)表西電大馬曉華教授研究組科研成果

半導(dǎo)體用SiC部件材料研發(fā)制造基地項(xiàng)目落戶惠山經(jīng)開(kāi)區(qū)

總投資約10億元，半導(dǎo)體用SiC部件材料研發(fā)制造基地項(xiàng)目簽約落地

國(guó)星光電上半年?duì)I收凈利潤(rùn)雙增 SiC-SBD產(chǎn)品已獲AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證

芯華睿半導(dǎo)體車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅及硅基功率模塊（IGBT/SiC）項(xiàng)目量產(chǎn)

起底國(guó)產(chǎn)SiC：內(nèi)卷、降本、困局

CASA立項(xiàng)SiC MOSFET動(dòng)態(tài)/穩(wěn)態(tài)高溫工作壽命試驗(yàn)方法2項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

英飛凌全球最大SiC芯片廠啟動(dòng)生產(chǎn)

中國(guó)SiC芯片價(jià)格將下降30%

韓國(guó)化學(xué)材料公司Nano CMS宣布，公司新碳化硅（SiC）材料加工廠已竣工，并于本月開(kāi)始全面運(yùn)營(yíng)。

約2.6億！東海炭素?cái)M建SiC晶圓

標(biāo)準(zhǔn) | 賽邁科牽頭2項(xiàng)SiC單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)

標(biāo)準(zhǔn)| SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿

派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”專利獲授權(quán)

標(biāo)準(zhǔn) | 賽邁科牽頭2項(xiàng)SiC單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)

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