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汽車電動化驅(qū)動SiC市場規(guī)模增長

先進(jìn)連接胡博：基于SiC器件的低溫銀燒結(jié)方案

瞄準(zhǔn)ASIC芯片，這兩家公司簽訂1億美元戰(zhàn)略合作協(xié)議

英唐智控：SiC-MOSFET產(chǎn)品即將進(jìn)入流片驗證

【CASICON 2021】蘇州能訊高能半導(dǎo)體Amagad Ali Hasan：基于物理的5G射頻GaN晶體管模型、趨勢和挑戰(zhàn)

【CASICON 2021】復(fù)旦大學(xué)樊嘉杰：SiC功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計

【CASICON 2021】南京大學(xué)徐尉宗：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)

【CASICON 2021】中電科十三所郭建超：金剛石微波功率器件研究

【CASICON 2021】蘇州晶湛半導(dǎo)體向鵬：用于新型GaN功率器件的外延技術(shù)進(jìn)展

【CASICON 2021】西安交通大學(xué)李強(qiáng)：大面積hBN薄膜制備及電阻開關(guān)特性研究

【CASICON 2021】安徽芯塔電子科技倪煒江：高性能高壓SiC器件設(shè)計與技術(shù)

【CASICON 2021】奧趨光電吳亮：AlN/AlScN材料制備技術(shù)及其在5GRFFE濾波及功率器件等領(lǐng)域應(yīng)用前景展望

【CASICON 2021】中電科五十五所劉強(qiáng)：碳化硅MOSFET技術(shù)問題及55所產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展

【CASICON 2021】南京郵電大學(xué)張珺：基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技術(shù)

【CASICON 2021】廈門大學(xué)梅洋：氮化鎵基VCSEL技術(shù)進(jìn)展

【CASICON 2021】唐晶量子龔平：6 inch GaAs基VCSEL和射頻外延技術(shù)

【CASICON 2021】美國弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在過壓開關(guān)中的魯棒性

【CASICON 2021】美國弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊：氧化鎵功率器件制備與封裝技術(shù)

【CASICON 2021】北京大學(xué)楊學(xué)林：Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術(shù)研究進(jìn)展

【CASICON 2021】南砂晶圓彭燕：碳化硅與金剛石單晶襯底技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化研究

【CASICON 2021】西交利物浦大學(xué)劉雯：硅基GaN MIS-HEMT單片集成技術(shù)

【CASICON 2021】南京航空航天大學(xué)張之梁：1kV寬禁帶LLC變換器控制與應(yīng)用

CASICON 2021：2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會最新看點

【CASICON 2021】青島聚能創(chuàng)芯劉海豐：面向快充應(yīng)用的GaN材料和器件技術(shù)

【CASICON 2021】愛發(fā)科左超：量產(chǎn)高性能功率與射頻器件的 ULVAC裝備技術(shù)

【CASICON 2021】南京大學(xué)葉建東：氧化鎵雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究

【CASICON 2021】南京大學(xué)陳鵬：低開啟/超高壓GaN肖特基功率器件研究新進(jìn)展

上海電氣：計劃在8-10年內(nèi)成為上海電氣功率半導(dǎo)體器件集成封裝/測試的公共平臺，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品（SiC）

【CASICON 2021】電子科技大學(xué)鄧小川：極端應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET的動態(tài)可靠性研究

【CASICON 2021】中科院上海微系統(tǒng)研究所鄭理：SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)

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