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國星光電上半年營收凈利潤雙增 SiC-SBD產(chǎn)品已獲AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證

芯華睿半導(dǎo)體車規(guī)級碳化硅及硅基功率模塊（IGBT/SiC）項目量產(chǎn)

起底國產(chǎn)SiC：內(nèi)卷、降本、困局

CASA立項SiC MOSFET動態(tài)/穩(wěn)態(tài)高溫工作壽命試驗方法2項團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

英飛凌全球最大SiC芯片廠啟動生產(chǎn)

中國SiC芯片價格將下降30%

韓國化學(xué)材料公司Nano CMS宣布，公司新碳化硅（SiC）材料加工廠已竣工，并于本月開始全面運(yùn)營。

約2.6億！東海炭素擬建SiC晶圓

標(biāo)準(zhǔn) | 賽邁科牽頭2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見

標(biāo)準(zhǔn)| SiC MOSFET 閾值電壓等9項技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”專利獲授權(quán)

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全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體市場2034年將增至110.8億美元

湖南三安：全面加速8吋SiC產(chǎn)業(yè)布局！設(shè)備正式搬入！

SiC MOSFET 閾值電壓等9項技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

瞻芯電子七周年慶：創(chuàng)新驅(qū)動，碳化硅(SiC)技術(shù)改變未來

揚(yáng)杰科技申請降低柵極電容的 SiCMOSFET 及制備方法專利，降低 SiCMOSFET 柵極電容

某單位SiC第三批貨物便捷詢價采購項目便捷詢價公告

通用半導(dǎo)體：SiC晶錠激光剝離全球首片最薄(130um)晶圓片下線

江蘇通用半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)剝離出130um厚度超薄SiC晶圓片

青禾晶元獲超3億元融資，新建40萬片8英寸SiC鍵合襯底產(chǎn)線

CASAS SiC功率器件與模塊工作組第二次會議成功召開

CASICON上海站|專家齊聚共議加速產(chǎn)業(yè)鏈“降本增效”

CASICON上海站| 第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇上海召開

看好SiC？瀘州老窖跨界投資第三代半導(dǎo)體企業(yè)

銀河微電申請SiCMOSFET板級封裝優(yōu)化設(shè)計方法專利，設(shè)計效率高

芯塔電子SiC模塊大批交付

聞泰科技：已實(shí)現(xiàn)GaN產(chǎn)品D-M系列產(chǎn)品銷售和SiC整流管的工業(yè)消費(fèi)級量產(chǎn)

瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn)

CASICON晶體大會平行論壇2：追蹤氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應(yīng)用進(jìn)展

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