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CSPSD 2024成都前瞻|西安理工大學(xué)王曦：光控型SiC功率器件的理論與實(shí)驗(yàn)研究

訂單價(jià)值約2億美元！世紀(jì)金芯斬獲日本13萬片SiC大單！

CSPSD 2024成都前瞻|西安電子科技大學(xué)何艷靜：SiC MOSFET浪涌可靠性的研究

CSPSD 2024成都前瞻|大連理工大學(xué)王德君：SiC半導(dǎo)體表界面缺陷及MOS器件可靠性

CSPSD 2024成都前瞻|中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所程新紅：SiC MOSFET 過流保護(hù)技術(shù)分析與研發(fā)

納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

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青禾晶元突破8英寸SiC鍵合襯底制備！

世紀(jì)金芯宣布實(shí)現(xiàn)了8英寸SiC關(guān)鍵技術(shù)突破！

安建半導(dǎo)體獲超2億元C1輪融資，SiC模塊封裝產(chǎn)線在建

蔚來自研SiC模塊C樣正式完成下線

總投資預(yù)計(jì)200億！湖北這家6寸SiC項(xiàng)目，即將封頂！

正達(dá)半導(dǎo)體SiC襯底項(xiàng)目落戶浙江總投資12億元

摩珂達(dá)SiC功率器件及電子產(chǎn)品制造項(xiàng)目簽約

廈門大學(xué)康俊勇教授團(tuán)隊(duì)：人工智能無損表征技術(shù)，助力SiC晶體生長

安森美：從SiC芯片的制造之旅，看垂直整合的競爭優(yōu)勢

芯聯(lián)集成：2024年公司還將計(jì)劃建成國內(nèi)首條8英寸SiC MOSFET試驗(yàn)線

廣電計(jì)量申請SiCMOSFET體二極管雙極退化試驗(yàn)方法及裝置專利，提高了老化效率，加速了雙極退化

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三菱電機(jī)計(jì)劃近50億元在熊本新設(shè)SiC廠房

宏微科技：SiC二極管產(chǎn)品已完成定型，部分產(chǎn)品已達(dá)成量產(chǎn)狀態(tài)

宏微科技：SiC Mos平臺已定型，處于初步量產(chǎn)狀態(tài)

智信科技2024年立項(xiàng)34項(xiàng)科技項(xiàng)目，涵蓋SiC模塊技術(shù)

納芯微推出基于創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC: NCA1462-Q1

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)

瞻芯電子再推3款車規(guī)級第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品

格力SiC芯片工廠將于6月投產(chǎn)

CASICON 成都站│2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2024）4月見！

嘉興斯達(dá)、山西爍科、合盛硅業(yè)三家企業(yè)SiC項(xiàng)目即將投產(chǎn)/試產(chǎn)

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