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海納股份高端功率器件用半導(dǎo)體級(jí)拋光片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式結(jié)頂

士蘭微電子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目今日開(kāi)工

GaNational：GaN功率器件引領(lǐng)革新風(fēng)潮

CASICON晶體大會(huì)前瞻|深圳大學(xué)劉新科：低成本垂直氮化鎵功率器件

士蘭微電子擬合資建設(shè)月產(chǎn)6萬(wàn)片8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線

士蘭微增資41.5億，建設(shè)8英寸SiC功率器件制造生產(chǎn)線

宜興中車時(shí)代中低壓功率器件項(xiàng)目首臺(tái)光刻機(jī)搬入

CSPSD 2024論壇1：聚焦硅基、化合物功率器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用發(fā)展

CSPSD 2024成都前瞻|芯粵能半導(dǎo)體相奇:大規(guī)模碳化硅功率器件制造探索

CSPSD 2024成都前瞻|西安理工大學(xué)王曦：光控型SiC功率器件的理論與實(shí)驗(yàn)研究

CSPSD 2024成都前瞻|氮矽科技劉勇：PGaN增強(qiáng)型GaN功率器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)

CSPSD 2024成都前瞻|湖南三安半導(dǎo)體劉成：應(yīng)用于工業(yè)及汽車市場(chǎng)的GaN功率器件制造技術(shù)

CSPSD 2024成都前瞻|成都信息工程大學(xué)羅小蓉：《氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用

CSPSD 2024成都前瞻 |松山湖材料實(shí)驗(yàn)室王方洲：低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究

CSPSD 2024成都前瞻 |中國(guó)科學(xué)院微電子研究所蔣其夢(mèng)：氮化鎵功率器件開(kāi)關(guān)安全工作區(qū)的研究

CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)周賢達(dá)：非晶氧化物半導(dǎo)體功率器件：理論極限和初步實(shí)現(xiàn)

CSPSD 2024成都前瞻|北京工業(yè)大學(xué)張亞民：面向氮化鎵微波功率器件的異質(zhì)界面溫升表征方法

CSPSD 2024成都前瞻|北京大學(xué)魏進(jìn)：如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡(jiǎn)單易用？

CSPSD 2024成都前瞻|四川大學(xué)副教授黃銘敏：碳化硅功率器件的輻射效應(yīng)及抗輻射技術(shù)

功率器件公司瑞能半導(dǎo)體旗下項(xiàng)目落地上海徐匯

中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（宜興）項(xiàng)目一期預(yù)計(jì)9月部分竣工投產(chǎn)

摩珂達(dá)SiC功率器件及電子產(chǎn)品制造項(xiàng)目簽約

聞泰科技：公司的功率器件已廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)領(lǐng)域

比亞迪半導(dǎo)體申請(qǐng)終端結(jié)構(gòu)及其制造方法以及功率器件專利，能夠提高耐壓值

希爾電子碳化硅功率器件已逐步量產(chǎn)，新項(xiàng)目廠房下半年將投用

比亞迪半導(dǎo)體申請(qǐng)逆導(dǎo)型IGBT功率器件專利，有效抑制負(fù)阻效應(yīng)，提高器件性能

碳化硅功率器件公司至信微電子獲深重投及深高新投投資

江蘇誠(chéng)盛科技麒思大功率器件項(xiàng)目發(fā)布今年量產(chǎn)

投資9億元！誠(chéng)盛科技—麒思大功率器件項(xiàng)目8月量產(chǎn)

華為公司申請(qǐng)功率器件專利，提高半導(dǎo)體器件的可靠性

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