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比利時(shí)氮化鎵制造商BelGaN破產(chǎn)，中國買家競(jìng)購設(shè)備資產(chǎn)

豐田合成開發(fā)出8英寸GaN單晶晶圓

安徽格恩半導(dǎo)體申請(qǐng)GaN基化合物半導(dǎo)體激光元件專利，提升光束質(zhì)量因子

納維達(dá)斯半導(dǎo)體申請(qǐng) GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

蘇州立琻半導(dǎo)體申請(qǐng)p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

上海燁映微電子申請(qǐng) GaN 晶體管與柵極驅(qū)動(dòng)器合封專利，實(shí)現(xiàn)高頻能力

成都氮矽科技申請(qǐng) N 面增強(qiáng)型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

華燦光電擬將GaN募投項(xiàng)目建成時(shí)間延長至明年底

平湖實(shí)驗(yàn)室何光澤：面向SiC/GaN功率器件失效分析的測(cè)試技術(shù)與典型應(yīng)用| IFWS2024

姚威振：新型MOCVD反應(yīng)器設(shè)計(jì)，促進(jìn)GaN材料創(chuàng)新發(fā)展 | IFWS&SSLCHINA2024

GaN+SiC！納微全球首發(fā)8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

無錫博通申請(qǐng)半橋GaN增強(qiáng)型開關(guān)器件及其制備方法專利，保證器件的高速開關(guān)

新潔能：SiC/GaN項(xiàng)目年底竣工投產(chǎn)

東南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院150nmGaN芯片流片采購項(xiàng)目競(jìng)爭(zhēng)性磋商公告

英諾賽科GaN：開啟高效、便攜的電子產(chǎn)品新時(shí)代

法國GaN企業(yè)獲應(yīng)用材料、臺(tái)灣工研院投資

國博電子：上半年發(fā)布多款GaN射頻模塊產(chǎn)品，預(yù)計(jì)下半年開發(fā)并應(yīng)用新一代的產(chǎn)品

信越化學(xué)面向GaN半導(dǎo)體開發(fā)出大型基板

江蘇能華微取得 GaN 肖特基二極管相關(guān)專利，有效提高了 GaN 肖特基二極管的性能

氮化鎵名企BelGaN宣告破產(chǎn)，潛在競(jìng)購者報(bào)價(jià)1.3億歐元

機(jī)構(gòu)：2023 年全球 GaN 功率元件市場(chǎng)規(guī)模約 2.71 億美元

豪緯集團(tuán)申請(qǐng)一種基于微納陣列結(jié)構(gòu) GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結(jié)構(gòu)中有源層的發(fā)光效率

CASA立項(xiàng)GaN HEMT非鉗位感性負(fù)載開關(guān)魯棒性測(cè)試方法1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

又一 GaN 企業(yè)宣告破產(chǎn)！

德高化成第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開工

標(biāo)準(zhǔn) | 2項(xiàng)GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)2034年將增至110.8億美元

萬年晶GaN項(xiàng)目已投產(chǎn)

西安電子科技大學(xué)GaN-on-Si/SOI外延片采購公開招標(biāo)公告二次

聞泰科技：已實(shí)現(xiàn)GaN產(chǎn)品D-M系列產(chǎn)品銷售和SiC整流管的工業(yè)消費(fèi)級(jí)量產(chǎn)

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