亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<input id="qmuqf"></input>

<u id="qmuqf"></u>

<noscript id="qmuqf"></noscript>

<u id="qmuqf"></u>

<u id="qmuqf"><li id="qmuqf"><table id="qmuqf"></table></li></u>

<u id="qmuqf"></u>

<optgroup id="eeceg"></optgroup>

<ul id="eeceg"><th id="eeceg"></th></ul>

<menu id="eeceg"><abbr id="eeceg"></abbr></menu>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

峰岹科技科創(chuàng)板IPO申請獲受理，擬募資5.55億升級國產(chǎn)電機(jī)驅(qū)動芯片

MOSFET 功率半導(dǎo)體新一輪大漲價

中電南方國基集團(tuán)李士顏：功率碳化硅MOSFET芯片及模塊研究進(jìn)展及應(yīng)用

功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化進(jìn)程提速，當(dāng)前國際競爭格局如何？

CREE科銳John Palmour ：賦能未來，勇往直前 SiC MOSFET問世10周年的思索

東芝推出采用TOLL封裝的650V超級結(jié)功率MOSFET 助力提高大電流設(shè)備的效率

東芝將新建 300mm 晶圓廠，用于生產(chǎn) MOSFET 和 IGBT

新一代 SiC 功率 MOSFET 器件研究進(jìn)展

東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業(yè)設(shè)備效率和小型化

碳化硅，十四五研發(fā)的第三代半導(dǎo)體熱門材料！

中國公司在汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展方向

紫光國微：公司半導(dǎo)體功率器件業(yè)務(wù)的主要產(chǎn)品包括MOSFET、IGBT、IGTO等以及相關(guān)的電源管理集成電路產(chǎn)品

我國功率半導(dǎo)體行業(yè)整體發(fā)展向好 MOSFET市場規(guī)模快速增長

青銅劍科技董事長汪之涵：用心打造中國“芯”

日本豐田汽車公司Kimimori HAMADA：超窄體（UNB）MOSFET和接地窄而深p（GND）MOSFET的4H-SiC MOSFET的新挑戰(zhàn)性結(jié)構(gòu)

中電科55所李士顏博士：碳化硅功率MOSFET研究進(jìn)展

8吋晶圓產(chǎn)能緊缺，MOSFET價格加速上漲

晶圓產(chǎn)能緊張需求暴漲 MOSFET價格或飆升20%

減少開關(guān)損耗：儒卓力提供來自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)在雪崩條件下的魯棒性評估

分析本土車規(guī)級IGBT產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、行業(yè)格局及未來趨勢

使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動器的能源效率

第6頁/共6頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<dfn id="bfbfd"></dfn>

<abbr id="bfbfd"><sup id="bfbfd"></sup></abbr>