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泰科天潤“一種低導(dǎo)通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”專利獲授權(quán)

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揚杰科技申請一種多導(dǎo)電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專利，降低平面柵垂直導(dǎo)電 MOSFET 導(dǎo)通電阻

標(biāo)準(zhǔn) | 2項GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

北京大學(xué)申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

昕感科技推出兼容15V柵壓驅(qū)動的1200V/13mΩ低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET

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《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》等兩項團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

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【國際論文】具有集成鰭型二極管的低反向導(dǎo)通損耗氧化鎵縱向FinFET

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北京交大科研團(tuán)隊提出GaN器件動態(tài)導(dǎo)通電阻的精確測試與優(yōu)化方法

標(biāo)準(zhǔn) | 電子五所牽頭的T/CASAS 005《用于硬開關(guān)電路的GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》形成委員會草案

SiC MOS產(chǎn)品驅(qū)動設(shè)計之寄生導(dǎo)通問題分析與設(shè)計建議

新聞發(fā)布 | 超低導(dǎo)通阻抗USB C受電接口保護(hù)開關(guān)，可提供140W的高功率

中山大學(xué)黎城朗：凹槽深度對GaN槽柵型縱向導(dǎo)通晶體管電學(xué)特性的影響研究

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二極管為什么單向?qū)щ?？這篇文章終于說明白了

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