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萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體申請(qǐng)用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專(zhuān)利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

日本國(guó)立材料研究所廖梅勇團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)金剛石DUV探測(cè)器低電壓高增益新突破！

英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V，直流母線(xiàn)電壓最高可達(dá)1500 VDC，效率更高，設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單

SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

標(biāo)準(zhǔn)| SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿

SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿

《用于零電壓軟開(kāi)通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿

《用于零電壓軟開(kāi)通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿

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小米發(fā)布 800V 碳化硅高壓平臺(tái)：最高電壓 871V，電池續(xù)航可超 1000km

比亞迪趙長(zhǎng)江：車(chē)企自稱(chēng) 800V 難免誤導(dǎo)消費(fèi)者，叫“高電壓平臺(tái)”更合理

三安半導(dǎo)體推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET，發(fā)布8英寸碳化硅襯底！

CASA標(biāo)準(zhǔn)SiC MOSFET閾值電壓測(cè)試方法征求意見(jiàn)

“一種低操作電壓高一致性憶阻器及其制備方法”發(fā)明專(zhuān)利發(fā)布

半導(dǎo)體所成功研制一款極低電壓低抖動(dòng)低功耗頻率綜合器芯片

SiC MOSFET的Vgs門(mén)極電壓的選取及其影響

北航學(xué)者發(fā)布成果，可精確測(cè)量寬禁帶電力電子器件的高頻暫態(tài)電壓

干貨 | 信號(hào)完整性

一款I(lǐng)C 適用于多種 DC-DC 拓?fù)洌弘p輸出降壓型 IC 也可用于 SEPIC 和升壓應(yīng)用

Dialog推出最新大電流DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器系列，擴(kuò)充汽車(chē)級(jí)PMIC產(chǎn)品組合

Crucial英睿達(dá)：不同DRAM可否混搭？

【泰克電源設(shè)計(jì)與測(cè)試】致工程師系列之五：優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門(mén)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

東芝的新型光電繼電器通過(guò)降低安裝密度助力設(shè)備小型化

行深無(wú)人物流車(chē)采用高效電源模塊助推物流行業(yè)發(fā)展

干貨 | 通過(guò)5 V至24 V輸入提供雙極性、雙向DC-DC流入和流出電流

格芯贏(yíng)得AI芯片業(yè)務(wù)

非常見(jiàn)問(wèn)題：RMS功率與平均功率

意法半導(dǎo)體生態(tài)認(rèn)證400W電源評(píng)估板降低先進(jìn)節(jié)能電源設(shè)計(jì)難度

ABLIC推出用于汽車(chē)的S-19246系列10V工作電壓和2000mA高輸出電流LDO穩(wěn)壓器

納芯微推出隔離采樣系列芯片應(yīng)對(duì)復(fù)雜高壓系統(tǒng)的電壓和電流檢測(cè)

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