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爍科晶體年產(chǎn)100萬毫米碳化硅單晶項目正式啟動！

中國科學家首創(chuàng)“蒸籠”方法“長出”高性能晶體管新材料

創(chuàng)盛年產(chǎn)60萬片8英寸碳化硅襯底片配套晶體項目開工建設

日本先進半導體制造商Rapidus啟動2nm GAA晶體管試制，首塊晶圓亮相

蘇州納米所研制出氮化鎵光子晶體面發(fā)射激光器

東京大學研發(fā)“摻鎵氧化銦晶體”取代硅材料

深圳平湖實驗室成功制備國內(nèi)首個氮化鋁/富鋁鎵氮高電子遷移率晶體管

氮矽科技推出TOLL封裝的增強型硅基氮化鎵（GaN）晶體管

刷新紀錄！鄭州大學實現(xiàn)大尺寸高質(zhì)量金剛石激光晶體批量生長

大連理工大學團隊：通過提高晶體質(zhì)量增強 β-Ga?O? 薄膜的光電突觸可塑性

長光華芯“半導體光子晶體發(fā)光結(jié)構及其制備方法”專利公布

廣州南砂晶圓申請用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及應用專利，有效提高所制得碳化硅晶體的質(zhì)量

中國科學院提出新型平面型面發(fā)光有機發(fā)光晶體管器件結(jié)構

蘇州無熱芯陽半導體申請新型襯底及其氧化物半導體場效應晶體管專利

投資100億！高溫超導硅單晶設備及晶體生產(chǎn)項目開工！

中國科大楊樹教授和龍世兵教授課題組在垂直型GaN功率晶體管研究方向取得重要進展

總投資5.2億！爍科晶體二期項目，全面投產(chǎn)

鎵仁半導體氧化鎵單晶生長突破性成果在晶體領域頂刊Crystal Growth & Design上發(fā)表

金剛石基晶體管，里程碑突破！

中科院理化所&吉大&中科大Nature Nano.：用于超高分辨率micro-LED顯示器的遠程外延晶體鈣鈦礦

爍科晶體：全球首發(fā)12英寸（300mm）高純半絕緣碳化硅襯底

杭州鎵仁半導體氧化鎵襯底技術突破，助力客戶實現(xiàn)2400V增強型晶體管

上海天岳申請一種三維方向應力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體專利，提高SiC襯底質(zhì)量

晶體材料及元器件廠商飛銳特完成數(shù)千萬元A輪融資

萬國半導體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

上海燁映微電子申請 GaN 晶體管與柵極驅(qū)動器合封專利，實現(xiàn)高頻能力

上海積塔半導體申請?zhí)蓟?span id="rrp1p7r" class="highlight">晶體管結(jié)構及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

廣州南砂晶圓半導體技術取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長裝置專利，提高晶體生長速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

爍科晶體SiC二期項目通過竣工驗收，正式投產(chǎn)！

予秦半導體晶體材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目環(huán)評公示

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