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簡(jiǎn)述使用不同類型GaN FET 設(shè)計(jì)提高系統(tǒng)設(shè)計(jì)功率密度

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臺(tái)積電積極布局第三代半導(dǎo)體，二代硅基GaN技術(shù)平臺(tái)年內(nèi)完成

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深圳大學(xué)劉新科研究員團(tuán)隊(duì)研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關(guān)型PGaN柵極HEMT

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第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)剖析

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標(biāo)準(zhǔn) | 電子五所牽頭的T/CASAS 005《用于硬開(kāi)關(guān)電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》形成委員會(huì)草案

6英寸高品質(zhì)GaN晶體最新進(jìn)展

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2022年江蘇省科技計(jì)劃專項(xiàng)資金擬立項(xiàng)目曝光！重點(diǎn)布局GaN功率器件、MCU、EDA等領(lǐng)域

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2022年江蘇省科技計(jì)劃專項(xiàng)資金擬立項(xiàng)目公示，涉及GaN功率器件、EDA等

安世半導(dǎo)體與電子器件供應(yīng)商合作，生產(chǎn)車(chē)規(guī)GaN功率模塊

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