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納微推出TOLL封裝版第三代快速碳化硅MOSFETs，專為AI數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車等大功率場(chǎng)景打造

CASA立項(xiàng)SiC MOSFET動(dòng)態(tài)/穩(wěn)態(tài)高溫工作壽命試驗(yàn)方法2項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

華羿微電“新型功率MOSFET器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

華羿微電“一種低柵極電荷屏蔽柵MOSFET器件及其制作方法”專利獲授權(quán)

華羿微電申請(qǐng)高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

標(biāo)準(zhǔn)| SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿

華潤(rùn)微：目前產(chǎn)能利用率滿載，已對(duì)部分MOSFET、IGBT等產(chǎn)品加價(jià)

派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”專利獲授權(quán)

SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)降低柵極電容的 SiCMOSFET 及制備方法專利，降低 SiCMOSFET 柵極電容

芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

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銀河微電申請(qǐng)SiCMOSFET板級(jí)封裝優(yōu)化設(shè)計(jì)方法專利，設(shè)計(jì)效率高

瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺(tái)正式量產(chǎn)

納微發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs，促進(jìn)AI數(shù)據(jù)中心功率提升，加快電動(dòng)汽車充電速度

昕感科技推出兼容15V柵壓驅(qū)動(dòng)的1200V/13mΩ低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET

CSPSD 2024成都前瞻|西安電子科技大學(xué)何艷靜：SiC MOSFET浪涌可靠性的研究

CSPSD 2024成都前瞻|中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所程新紅：SiC MOSFET 過(guò)流保護(hù)技術(shù)分析與研發(fā)

納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

CSPSD 2024成都前瞻 |東南大學(xué)魏家行：碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究

CSPSD 2024成都前瞻 |重慶大學(xué)蔣華平：碳化硅MOSFET動(dòng)態(tài)閾值漂移

CSPSD 2024成都前瞻|北京大學(xué)魏進(jìn)：如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡(jiǎn)單易用？

芯聯(lián)集成：2024年公司還將計(jì)劃建成國(guó)內(nèi)首條8英寸SiC MOSFET試驗(yàn)線

廣電計(jì)量申請(qǐng)SiCMOSFET體二極管雙極退化試驗(yàn)方法及裝置專利，提高了老化效率，加速了雙極退化

宏微科技取得電動(dòng)汽車用IGBT或MOSFET版圖結(jié)構(gòu)專利，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大減小

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動(dòng)低碳化的高性能系統(tǒng)

瞻芯電子再推3款車規(guī)級(jí)第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品

國(guó)基南方、55所：加速碳化硅MOSFET技術(shù)攻關(guān)，打造汽車電子中國(guó)“芯”

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)TrenchMOSFET器件的自對(duì)準(zhǔn)的制備方法專利，進(jìn)一步縮小了接觸孔沿溝道方向尺寸

北京大學(xué)申請(qǐng)?zhí)蓟杵矫鏂?span id="0cim800" class="highlight">MOSFET器件及其制備方法專利，能夠降低器件的溝道電阻

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