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意法半導(dǎo)體首批8英寸碳化硅晶圓問(wèn)世，SiC熱度高漲！

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第三代半導(dǎo)體材料: SiC的興起與未來(lái)

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II-VI宣布產(chǎn)能提升10倍，生產(chǎn)8英寸SiC襯底

領(lǐng)先的SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動(dòng)

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