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又一8英寸SiC項(xiàng)目即將封頂，年產(chǎn)72萬(wàn)片！

北京晶飛半導(dǎo)體SiC激光剝離設(shè)備出貨

芯聯(lián)集成2024全年毛利率轉(zhuǎn)正，SiC業(yè)務(wù)營(yíng)收超10億元

SiC巨頭Wolfspeed得州廠關(guān)閉并掛牌出售，將裁員75人

總投資1400億盧比！又一個(gè)印度年產(chǎn)60萬(wàn)片SiC晶圓項(xiàng)目簽約

天域半導(dǎo)體取得水平氣流SiC外延設(shè)備石英鐘罩內(nèi)壁清潔工具專利，能夠保證石英鐘罩的清潔效果符合爐膛反應(yīng)需求

芯豐精密首臺(tái)8英寸全自動(dòng)高精度SiC晶圓減薄機(jī)順利交付

清純半導(dǎo)體SiC MOSFET年度銷售額首次突破億元

銘方半導(dǎo)體 SiC芯片項(xiàng)目建設(shè)加速

北京智慧能源研究院SiC外延片公開招標(biāo)采購(gòu)項(xiàng)目公開招標(biāo)公告

上海天岳申請(qǐng)一種三維方向應(yīng)力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體專利，提高SiC襯底質(zhì)量

基于新型SiC復(fù)合襯底的低成本MOSFET取得重要進(jìn)展

上海瑞華晟申請(qǐng)SiC/SiC復(fù)合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

揚(yáng)杰電子申請(qǐng)?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

博世獲16億元補(bǔ)貼，將投138億元發(fā)力8英寸SiC芯片！

日本政府為電裝-富士電機(jī)聯(lián)合的SiC功率半導(dǎo)體計(jì)劃投資705億日元

天岳先進(jìn)攜12英寸導(dǎo)電N型碳化硅襯底亮相SEMICON Japan 2024

天岳先進(jìn)榮膺“中國(guó)SiC襯底影響力企業(yè)”首位及“8英寸SiC先鋒”

吳偉東：SiC功率MOSFET老化檢測(cè)智能柵極驅(qū)動(dòng)器

中微公司陳丹瑩：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生長(zhǎng)的CVD設(shè)備 |?IFWS&SSLCHINA2024

西湖大學(xué)工學(xué)院仇旻團(tuán)隊(duì)研究進(jìn)展 | 4H-SiC超透鏡：抑制高功率激光輻照的熱漂移效應(yīng)

日本電裝Denso、富士電機(jī)合建SiC項(xiàng)目

平湖實(shí)驗(yàn)室何光澤：面向SiC/GaN功率器件失效分析的測(cè)試技術(shù)與典型應(yīng)用| IFWS2024

國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾王川寶：SiC基電力電子及射頻芯片技術(shù)發(fā)展研究 | IFWS2024

IFWS&SSLCHINA2024|CASA9項(xiàng) SiC MOSFET測(cè)試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布

天科合達(dá)8英寸SiC襯底二期項(xiàng)目開工！

昕感科技申請(qǐng)一種終端復(fù)合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯(cuò)率

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長(zhǎng)裝置專利，提高晶體生長(zhǎng)速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

GaN+SiC！納微全球首發(fā)8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

南京南瑞半導(dǎo)體申請(qǐng)溝槽型SiC器件及其制備方法專利，可防止器件過(guò)早擊穿燒毀

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