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GaN+SiC！納微全球首發(fā)8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

從安森美幾款硬核功率產(chǎn)品，洞悉最新技術(shù)趨勢(shì)

聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)與KOSTAL就先進(jìn)車規(guī)級(jí)寬禁帶器件達(dá)成戰(zhàn)略合作

晶湛半導(dǎo)體邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

晶盛機(jī)電：8英寸碳化硅外延設(shè)備和光學(xué)量測(cè)設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷售，12英寸三軸減薄拋光機(jī)拓展至國(guó)內(nèi)頭部封裝客戶

聯(lián)華電子申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及其形成方法專利，具有特定的結(jié)構(gòu)和元件排列

天岳先進(jìn)向客戶成功交付高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底

納視智能完成數(shù)百萬(wàn)種子輪融資

晶科電子赴港上市吸引超5000倍超額認(rèn)購(gòu)，為何吸引如此多投資者申購(gòu)呢？

晶盛機(jī)電：實(shí)現(xiàn)8-12英寸半導(dǎo)體大硅片設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化突破

華虹半導(dǎo)體“低壓超結(jié)MOSFET的工藝方法”專利公布

南京南瑞半導(dǎo)體申請(qǐng)溝槽型SiC器件及其制備方法專利，可防止器件過(guò)早擊穿燒毀

安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，使半導(dǎo)體器件獲得更好的散熱結(jié)構(gòu)以及更低的電阻率

中微半導(dǎo)體設(shè)備申請(qǐng)雙腔處理系統(tǒng)及氣體供應(yīng)方法專利

上海漢虹申請(qǐng)一種單晶爐碳化硅爐專用KF40電動(dòng)蝶閥專利

長(zhǎng)光華芯“半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)速率的測(cè)試方法”專利獲授權(quán)

士蘭微“MEMS器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

英特爾俄亥俄州晶圓廠新進(jìn)展

利亞德斬獲廣東省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)

合作邀請(qǐng) |中博芯邀您同聚11月IFWS & SSLCHINA2024

重慶芯聯(lián)微電子申請(qǐng)掩膜版圖形及其優(yōu)化方法專利，解決集成電路版圖工藝缺陷

粵芯半導(dǎo)體申請(qǐng)光刻機(jī)對(duì)準(zhǔn)方法專利，平衡晶圓中切割道與芯片的研磨速率

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備方法專利，提高集成電路的存儲(chǔ)密度

深圳市聯(lián)微半導(dǎo)體取得定位裝置專利，能夠具有較低的成本

時(shí)的科技完成數(shù)億元B輪融資，將在蕪湖建總裝制造工廠

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗(yàn)證

臺(tái)積電高雄首座2nm晶圓廠即將完工，2025年量產(chǎn)

電子工藝裝備收入增長(zhǎng)，北方華創(chuàng)前三季度營(yíng)收同比增加39.51%

電裝與羅姆達(dá)成共識(shí)，探討在半導(dǎo)體領(lǐng)域建立戰(zhàn)略伙伴關(guān)系

納芯微與大陸集團(tuán)合作，聯(lián)合開(kāi)發(fā)汽車壓力傳感器芯片

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