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英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V，直流母線電壓最高可達(dá)1500 VDC，效率更高，設(shè)計更簡單

中國電科原副總經(jīng)理何文忠被逮捕

Wolfspeed擱置在德國建半導(dǎo)體工廠的計劃

上海華虹宏力申請接觸孔自對準(zhǔn)的MOSFET制造方法專利

廣東氣派科技申請 MOSFET 的封裝結(jié)構(gòu)專利，采用封裝結(jié)構(gòu)得到的 MOSFET 散熱性能佳

富特科技：已實現(xiàn)SiC半導(dǎo)體器件在產(chǎn)品中的量產(chǎn)應(yīng)用，且應(yīng)用技術(shù)已相對成熟

華潤微“一種LIGBT器件及其制備方法”專利公布

英特爾將在日本新建芯片研發(fā)中心

采埃孚與Wolfspeed芯片項目或告吹德國工業(yè)復(fù)蘇再受打擊

首期規(guī)模120億元，武漢“江城基金”聚焦泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

東風(fēng)汽車已完成3款車規(guī)級芯片流片

Infinera獲美國《芯片法案》9300萬美元資助

京東方“襯底基板、顯示基板以及光探測基板”專利獲授權(quán)

昂瑞微“一種芯片及其UserID檢測電路”專利獲授權(quán)

華虹宏力“一種嵌入式肖特基MOSFET制作方法”專利公布

杭州鎵仁半導(dǎo)體申請氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

江蘇集芯申請大尺寸碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置專利，保證晶體中心位置和外側(cè)邊緣的生長速率相一致

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遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

國產(chǎn)芯片！紅旗發(fā)布了首臺1700V超高壓碳化硅功率模塊樣品

長電科技“腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專利獲授權(quán)

三星解散LED業(yè)務(wù)，但仍繼續(xù)研發(fā)Micro LED

和研科技設(shè)備入選遼寧省首臺(套)目錄

武漢新芯取得清洗裝置及半導(dǎo)體制造設(shè)備專利，去除晶圓邊緣殘留物避免影響后續(xù)工藝

和其光電“用于光纖傳感器封裝的高精密多維調(diào)節(jié)對位系統(tǒng)及方法”專利獲授權(quán)

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通富微電擬出資2億元受讓滁州廣泰31.9%合伙份額

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方正微電子：2025年將具備16.8萬片/年車規(guī)SiC MOS生產(chǎn)能力

捷捷微電前三季度凈利潤同比預(yù)增120%至150%

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