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力積電與塔塔12英寸晶圓廠合作定案投資額達(dá)110億美元

晶合集成全資子公司擬增資近百億元

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晶華微擬購(gòu)芯邦科技子公司60%-70%股份

芯聯(lián)集成“外延設(shè)備”專(zhuān)利獲授權(quán)

鎵仁半導(dǎo)體推出氧化鎵專(zhuān)用長(zhǎng)晶設(shè)備

研磨制造業(yè)如何實(shí)現(xiàn)階躍式變革？揭秘中機(jī)核心技術(shù)——團(tuán)聚金剛石的進(jìn)化之路

播種原創(chuàng)思維，戴森推動(dòng)校企合作共筑創(chuàng)新生態(tài)

1.5億美元！樓氏電子將消費(fèi)級(jí)MEMS麥克風(fēng)業(yè)務(wù)出售給Syntiant

ADI與塔塔集團(tuán)合作在印度生產(chǎn)半導(dǎo)體

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濟(jì)南比亞迪今年生產(chǎn)新能源車(chē)力爭(zhēng)突破30萬(wàn)輛

上海壁仞科技取得封裝結(jié)構(gòu)專(zhuān)利，提高散熱性能

長(zhǎng)宇科技取得一項(xiàng)外延生長(zhǎng)基盤(pán)用高均質(zhì)性特種石墨材料的制備方法專(zhuān)利，能夠保持產(chǎn)品制備的穩(wěn)定性

華海清科12英寸超精密晶圓減薄機(jī)Versatile-GP300完成首臺(tái)驗(yàn)證工作

長(zhǎng)飛先進(jìn)與中信銀行簽約合作

晶合集成申請(qǐng)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法及動(dòng)態(tài)調(diào)整系統(tǒng)專(zhuān)利，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的良率

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)一種多導(dǎo)電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專(zhuān)利，降低平面柵垂直導(dǎo)電 MOSFET 導(dǎo)通電阻

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件制備方法相關(guān)專(zhuān)利，避免出現(xiàn)第一氧化層過(guò)薄

浙江奧首材料科技申請(qǐng)一種用于半導(dǎo)體化合物光刻膠的剝離液專(zhuān)利，減少剝離液中的腐蝕

英諾賽科GaN：開(kāi)啟高效、便攜的電子產(chǎn)品新時(shí)代

芯源微獲得發(fā)明專(zhuān)利授權(quán)：“晶圓搬運(yùn)裝置及晶圓搬運(yùn)方法”

億緯鋰能與中電建北京院達(dá)成戰(zhàn)略合作

13億元！創(chuàng)維集團(tuán)被迫轉(zhuǎn)讓LG廣州工廠10%股權(quán)

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天岳先進(jìn)董事長(zhǎng)：第三代半導(dǎo)體需求推動(dòng)碳化硅材料快速發(fā)展

EPC Power 攜手 Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級(jí)儲(chǔ)能方案

新微半導(dǎo)體推出850nm 10G VCSEL工藝平臺(tái)，面向廣泛的數(shù)通應(yīng)用

芯聯(lián)集成：2023年及2024年上半年，公司SiC MOSFET產(chǎn)品出貨量均位居國(guó)內(nèi)第一

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專(zhuān)利，提高了柵極可靠性

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