亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<input id="qmuqf"></input>

<u id="qmuqf"></u>

<noscript id="qmuqf"></noscript>

<u id="qmuqf"></u>

<u id="qmuqf"><li id="qmuqf"><table id="qmuqf"></table></li></u>

<u id="qmuqf"></u>

推薦企業(yè)動態(tài)地方動態(tài)政策規(guī)劃招標采購會議展覽項目動態(tài)融資動態(tài)

新微半導(dǎo)體推出850nm 10G VCSEL工藝平臺，面向廣泛的數(shù)通應(yīng)用

芯聯(lián)集成：2023年及2024年上半年，公司SiC MOSFET產(chǎn)品出貨量均位居國內(nèi)第一

芯導(dǎo)科技申請一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

揚杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

鎵仁半導(dǎo)體成功研制氧化鎵超薄6英寸襯底

雙成藥業(yè)籌劃重大資產(chǎn)重組：擬注入芯片業(yè)務(wù)，提升公司經(jīng)營質(zhì)量

科友半導(dǎo)體認定黑龍江省第六批專精特新“小巨人”企業(yè)

羅姆與聯(lián)合汽車電子簽署SiC功率元器件長期供貨協(xié)議

上海積塔半導(dǎo)體申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，避免因相鄰膜層刻蝕選擇比過大形成底切結(jié)構(gòu)

英諾激光：公司已實現(xiàn)批量供應(yīng)碳化硅退火制程的激光器

Wolfspeed推出2300V碳化硅功率模塊，助力清潔能源產(chǎn)業(yè)提升

立昂晶電：實現(xiàn)磷化銦半導(dǎo)體材料技術(shù)突破獲評雛鷹企業(yè)

國博電子：上半年發(fā)布多款GaN射頻模塊產(chǎn)品，預(yù)計下半年開發(fā)并應(yīng)用新一代的產(chǎn)品

Wolfspeed推出創(chuàng)新碳化硅模塊以提高清潔能源產(chǎn)能

華潤微推出寬SOA系列MOSFET產(chǎn)品

智芯微“光刻膠均勻覆蓋晶圓表面的仿真方法”專利公布

士蘭微“MEMS微鏡及其制備方法”專利獲授權(quán)

福建平潭瑞謙智能科技取得一種用于半導(dǎo)體模塊封裝的視覺檢測設(shè)備專利

凱世通半導(dǎo)體與國內(nèi)集成電路上下游企業(yè)簽訂戰(zhàn)略合作

北方華創(chuàng)：公司自研射頻電源已批量應(yīng)用于多款產(chǎn)品

6座晶圓廠，開建！

半導(dǎo)體突發(fā)！ASML發(fā)布聲明

河北同光半導(dǎo)體取得SiC專利，實現(xiàn)將源于生長區(qū)石墨件腐蝕引起的包裹物分布控制在晶體邊緣

中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備獲升級

比亞迪公布深圳全球研發(fā)中心規(guī)劃總投資200億元

美國ITC發(fā)布對半導(dǎo)體設(shè)備及其下游產(chǎn)品的337部分終裁

三安半導(dǎo)體與虹安微電子戰(zhàn)略合作，加強SiC領(lǐng)域合作

三義激光首批碳化硅激光設(shè)備正式交付

士蘭微“功率封裝結(jié)構(gòu)及其引線框”專利獲授權(quán)

科友半導(dǎo)體榮獲省科學(xué)技術(shù)一等獎

«上一頁 1 2 … 11 12 13 14 15 … 125 126 下一頁» 共3755條/126頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部