亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<input id="qmuqf"></input>

<u id="qmuqf"></u>

<noscript id="qmuqf"></noscript>

<u id="qmuqf"></u>

<u id="qmuqf"><li id="qmuqf"><table id="qmuqf"></table></li></u>

<u id="qmuqf"></u>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

杭州士蘭微電子取得半導(dǎo)體器件專利，控制了柵漏電容

總投資10億元，芯瓷科技半導(dǎo)體功率器件用DPC陶瓷基板項(xiàng)目投產(chǎn)

年產(chǎn)100萬只高速光通信器件和模塊項(xiàng)目正式啟動(dòng)廠房裝修工程

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

世界首個(gè)采用6.5kV功率器件的柔性直流工程成功投運(yùn)

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

甬江實(shí)驗(yàn)室信息材料與微納器件制備平臺正式投用

昌龍智芯半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目投資超5億元

行業(yè)Top級廠商齊聚功率器件展區(qū)！CSE 2025等您來探！

功率半導(dǎo)體器件研發(fā)商中微創(chuàng)芯完成近億元Pre-B輪融資

廣州華瑞升陽申請寬禁帶半導(dǎo)體器件專利，降低寬禁帶半導(dǎo)體器件導(dǎo)通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風(fēng)險(xiǎn)

晶體材料及元器件廠商飛銳特完成數(shù)千萬元A輪融資

光迅科技高端光電子器件產(chǎn)業(yè)基地一期達(dá)產(chǎn)

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請一種功率開關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請 N 面增強(qiáng)型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

揚(yáng)杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海積塔半導(dǎo)體申請?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

華虹半導(dǎo)體申請集成半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高芯片整體抗EMI能力

總投資3億元，深矽微科技功率器件封裝生產(chǎn)基地項(xiàng)目首批設(shè)備正式進(jìn)場

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（三）?|IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（二）|IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（一） |IFWS&SSLCHINA2024

光谷筑芯微電子精密器件智造基地(首開區(qū)) 項(xiàng)目喜封金頂！

“2024年度（第十七屆）華強(qiáng)電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌評選”進(jìn)入公眾投票階段

鎵和半導(dǎo)體李山：氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究

碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)（二）|IFWS&SSLCHINA2024

專家說丨化合物半導(dǎo)體器件的三大方向進(jìn)展

碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)發(fā)展探討（一）|IFWS&SSLCHINA2024

中微公司陳丹瑩：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生長的CVD設(shè)備 |?IFWS&SSLCHINA2024

平湖實(shí)驗(yàn)室何光澤：面向SiC/GaN功率器件失效分析的測試技術(shù)與典型應(yīng)用| IFWS2024

第1頁/共31頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<menu id="cackk"></menu>

<abbr id="cackk"></abbr>

<noframes id="cackk"></noframes>

<li id="cackk"></li>

<small id="cackk"></small>